[发明专利]一种芯片及电子设备有效
| 申请号： | 201710111362.1 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106776360B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 朱国钟 | 申请（专利权）人： | 建荣半导体（深圳）有限公司;建荣集成电路科技（珠海）有限公司;珠海煌荣集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/06 | 分类号： | G06F12/06 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司44372 | 代理人： | 宋建平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 电子设备 | ||
1.一种芯片，其特征在于，包括：处理器和高速缓冲存储器，
所述高速缓冲存储器具有缓存模式和存储模式，当所述高速缓冲存储器处于缓存模式时，所述高速缓冲存储器被使能为缓冲存储器，当所述高速缓冲存储器处于存储模式时，所述高速缓冲存储器被使能为第一片内存储器；
所述高速缓冲存储器包括控制单元和存储单元，所述控制单元分别连接所述处理器和所述存储单元，所述存储单元直接连接所述处理器；
当所述高速缓冲存储器处于缓存模式时，所述存储单元用于接受所述控制单元的控制，以缓存供所述处理器访问的片外数据；
当所述高速缓冲存储器处于存储模式时，所述存储单元用于存储供所述处理器直接访问的片内数据；
其中，在所述高速缓冲存储器处于缓存模式时，所述缓存模式对应的数据类型被组织成固定的宽度格式，所述缓存模式对应的数据类型包括数据、地址索引、数据有效性标志、更新策略标志以及缓存使能标志。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括：地址解释器和第二片内存储器，
所述地址解释器分别连接所述处理器和所述高速缓冲存储器，所述第二片内存储器连接所述地址解释器，其中，所述地址解释器用于接收所述处理器发送的数据访问请求，并根据所述数据访问请求区分访问所述高速缓冲存储器和所述第二片内存储器。
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述地址解释器分别连接所述控制单元和所述存储单元。
4.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述第二片内存储器为静态随机存取存储器、MROM存储器、OTP存储器以及Flash存储器中的一种。
5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述高速缓冲存储器为静态随机存取存储器。
6.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1至5任一项所述的芯片。
7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：行车记录仪和飞行录像装置。
8.一种芯片，其特征在于，包括：处理器、地址解释器、高速缓冲存储器、片内存储器以及主存储器；
所述高速缓冲存储器具有缓存模式和存储模式，当所述高速缓冲存储器处于缓存模式时，所述高速缓冲存储器被使能为缓冲存储器，所述缓冲存储器从所述主存储器获取片外数据，当所述高速缓冲存储器被使能为存储模式时，所述高速缓冲存储器使能为第一片内存储器；
所述高速缓冲存储器包括控制单元和存储单元，所述控制单元分别连接所述处理器和所述存储单元，所述存储单元直接连接所述处理器；
当所述高速缓冲存储器处于缓存模式时，所述存储单元用于接受所述控制单元的控制，以缓存供所述处理器访问的片外数据；
当所述高速缓冲存储器处于存储模式时，所述存储单元用于存储供所述处理器直接访问的片内数据；
其中,在所述高速缓冲存储器处于缓存模式时，所述缓存模式对应的数据类型被组织成固定的宽度格式，所述缓存模式对应的数据类型包括数据、地址索引、数据有效性标志、更新策略标志以及缓存使能标志。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求8所述的芯片。
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