[发明专利]用于电容性感测的方法、装置和系统有效

专利信息
申请号: 201710108528.4 申请日: 2017-02-27
公开(公告)号: CN107132954B 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 王营;A.L.施瓦茨;S.拉马克里什南 申请(专利权)人: 辛纳普蒂克斯公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044;G06F3/041
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李湘;郑冀之
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 电容 性感 方法 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种操作具有多个传感器电极和至少一个力电极的电容性感测装置的方法,所述方法包括:

在没有力施加于所述电容性感测装置的输入表面时,储存所述力电极的基准电容;

确定由输入对象接触所述输入表面引起的所述力电极相对于所述基准电容的第一电容变化;

通过向所述输入表面施加预定校准力并测量所述力电极响应施加于所述输入表面的所述预定校准力的第二电容变化,确定关联于所述电容性感测装置的机械变化补偿因子,其中,所述机械变化补偿因子包括所述第二电容变化对算术乘积的比率,其中所述算术乘积为所述预定校准力乘以校准基准电容加上所述第二电容变化的算术和;以及

基于至少所述机械变化补偿因子、所述力电极的所述第一电容变化,确定所述力电极的力信息,

其中所述校准基准电容依照一校准过程被确定,所述校准过程将已知力或没有力施加到所述电容性感测装置的所述输入表面,

其中力信息fi可以根据以下等式确定,其中ΔCi是响应于某个施加力的当前电容的变化,Cb是基准电容,Cbc是校准基准电容,m是机械变化补偿因子,

2.如权利要求1所述的方法,其中所述预定校准力由校准装置施加。

3.如权利要求2所述的方法,其中所述校准装置配置成将所述预定校准力施加到所述输入表面上的指定位置。

4.如权利要求1所述的方法,还包括基于比例函数确定接触所述输入表面的第二输入对象的力信息。

5.如权利要求1所述的方法,进一步包括:

获取所述多个传感器电极的进一步的第二电容变化并且基于所述进一步的第二电容变化更新所述机械变化补偿因子的参数集合。

6.一种用于具有输入表面的电容性感测装置的处理系统,其中所述电容性感测装置包括至少一个力电极和多个传感器电极,所述处理系统包括:

传感器模块,其包括配置成耦合于所述多个传感器电极和所述至少一个力电极的传感器电路,其中所述传感器模块配置成:

在没有力施加于所述电容性感测装置的所述输入表面时,储存所述力电极的基准电容;

确定由输入对象接触所述输入表面引起的所述力电极相对于所述基准电容的第一电容变化;

通过向所述输入表面施加预定校准力并测量所述力电极响应施加于所述输入表面的所述预定校准力的第二电容变化,确定关联于所述电容性感测装置的机械变化补偿因子,其中,所述机械变化补偿因子包括所述第二电容变化对算术乘积的比率,其中所述算术乘积为所述预定校准力乘以校准基准电容加上所述第二电容变化的算术和;以及

基于至少所述机械变化补偿因子、所述力电极的所述第一电容变化,确定所述力电极的力信息,

其中所述校准基准电容依照一校准过程被确定,所述校准过程将已知力或没有力施加到所述电容性感测装置的所述输入表面,

其中力信息fi可以根据以下等式确定,其中ΔCi是响应于某个施加力的当前电容的变化,Cb是基准电容,Cbc是校准基准电容,m是机械变化补偿因子,

7.如权利要求6所述的处理系统,其中所述预定校准力由校准装置施加。

8.如权利要求6所述的处理系统,其中所述电容性感测装置包括至少一个显示单元。

9.如权利要求8所述的处理系统,其中所述电容性感测装置还包括至少一个可压缩层。

10.如权利要求6所述的处理系统,其中所述传感器模块配置成基于比例函数确定接触所述输入表面的第二输入对象的力信息。

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