[发明专利]结构体、以及图案形成方法在审
申请号: | 201710101586.4 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN107564802A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 泽部智明;渡部彰;木原尚子;山本亮介 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 段承恩,李照明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 以及 图案 形成 方法 | ||
1.一种结构体,具备基体和相互分离的多个粒子,
所述多个粒子分别含有设置在所述多个粒子各自的表面上的第1高分子,
所述基体具备具有凸部和凹部的面,并含有设置在所述面上的与所述第1高分子不同的第2高分子,
所述多个粒子被所述凸部支持,所述多个粒子与所述凹部分离。
2.根据权利要求1所述的结构体,
所述多个粒子包含第1粒子,
所述第1粒子包含第1位点区域、第2位点区域和第1中间区域,
所述第1粒子的第1位点区域被所述凸部的第1凸部区域支持,
所述第1粒子的第2位点区域被所述凸部的第2凸部区域支持,
所述第1中间区域在从所述第1凸部区域向所述第2凸部区域的方向上位于所述第1位点区域与所述第2位点区域之间,
所述第1中间区域与所述凹部分离。
3.根据权利要求2所述的结构体,
所述多个粒子沿着第1平面排列,
所述多个粒子还包含第2粒子和第3粒子,
所述第2粒子在所述多个粒子之中最靠近所述第1粒子,
所述第3粒子在所述多个粒子之中最靠近所述第2粒子,
所述第3粒子在除了所述第2粒子以外的所述多个粒子之中最靠近所述第1粒子,
用第1直线将所述第1粒子的所述第1平面内的第1粒子中心与所述第2粒子的所述第1平面内的第2粒子中心连结,
用第2直线将所述第2粒子中心与所述第3粒子的所述第1平面内的第3粒子中心连结,
用第3直线将所述第3粒子中心与所述第1粒子中心连结,
所述第1直线与所述第2直线之间的角度为57度以上且63度以下,
所述第2直线与所述第3直线之间的角度为57度以上且63度以下,
所述第3直线与所述第1直线之间的角度为57度以上且63度以下。
4.根据权利要求3所述的结构体,
所述第1凸部区域和所述第2凸部区域沿着第1延伸方向延伸,
所述第1凸部区域具有第1宽度方向上的第1凸部区域中心,
所述第2凸部区域具有所述第1宽度方向上的第2凸部区域中心,
所述第1宽度方向沿着所述第1平面而垂直于所述第1延伸方向,
所述第1凸部区域中心与所述第2凸部区域中心之间的沿着所述第1宽度方向的距离,是所述第1粒子中心与所述第2粒子中心之间的距离的0.69倍以上且1.04倍以下。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的结构体,
所述第1高分子含有选自由聚苯乙烯、聚丁二烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸钠、聚环氧乙烷、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯吡啶、聚二甲基硅氧烷、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚二甲基丙烯酸和聚甲基丙烯酸丁酯组成的群中的一个,
所述第2高分子含有选自所述群中的另一个。
6.一种图案形成方法,具备溶液膜形成工序和液体除去工序,
在所述溶液膜形成工序中,在具备具有凸部和凹部的面的基体的所述面上形成含有多个粒子和液体的溶液膜,所述多个粒子分别含有设置在所述多个粒子各自的表面上的第1高分子,所述基体含有设置在所述面上的与所述第1高分子不同的第2高分子;
在所述液体除去工序中,除去所述液体,
在所述液体的所述除去之后,所述多个粒子被所述凸部支持,所述多个粒子与所述凹部分离。
7.根据权利要求6所述的图案形成方法,
在所述液体除去工序之后,还具备除去所述第1高分子和所述第2高分子的高分子除去工序。
8.根据权利要求7所述的图案形成方法,
所述多个粒子分别含有核部,
所述第1高分子被设置在所述核部的周围,
在所述高分子除去工序之后,核部的至少一部分残留。
9.根据权利要求8所述的图案形成方法,
还具备以所述多个粒子为掩模,除去所述基体的一部分的第1基体加工工序。
10.根据权利要求9所述的图案形成方法,
所述基体包含基板和结构部件,
所述基板含有第1基体材料,所述第1基体材料包含成为所述凹部的第1部分区域和第2部分区域,
所述结构部件成为凸部,含有设置在所述第2部分区域上的与所述第1基体材料不同的第2基体材料,
所述第1基体加工工序包括以所述多个粒子为掩模,除去所述结构部件的一部分的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造