[发明专利]等离子体处理方法

说明书

提供一种等离子体处理方法，能够以简易的工序实现精细的图案化。等离子体处理方法包括：粘附工序，在具备第一主面和第一主面的相反侧的第二主面的基板的第一主面粘附树脂膜；以及图案化工序，对树脂膜进行图案化，从而形成具有使基板的被处理区域露出的开口部的掩模。而且，等离子体处理方法包括：第一等离子体工序，在包含第一气体的减压环境中生成第一气体的第一等离子体，并使掩模暴露于第一等离子体，从而减少掩模与第一主面之间的空隙。进而，等离子体处理方法包括：第二等离子体工序，在包含第二气体的环境中用第二气体生成第二等离子体，并使从开口部露出的被处理区域暴露于第二等离子体，从而对被处理区域进行蚀刻。

技术领域

本公开涉及组合了对粘附在基板的主面的树脂膜进行图案化的工序和对基板进行等离子体处理的工序的等离子体处理方法。

背景技术

使用了层压掩模(例如，干膜抗蚀剂)的图案化用于简化半导体电路、电子电路等的制造工序，在多方面要求应用该图案化。但是，在将层压掩模粘附到基板的主面的工序中，在层压掩模与基板的主面之间容易介入空气，会不可避免地形成微小的空隙(参照专利文献1)。为了减少这种现象，需要在高度减压的环境中进行粘附工序，但是这会导致成本的上升、工序的复杂化。此外，层压掩模其本身在表面就具有微小的凹凸，在基板的主面也可能存在微小的凹凸。因此，原理上难以避免在层压掩模与基板的主面之间形成空隙的现象。

在不要求精细的蚀刻的领域中，层压掩模与基板的主面之间的微小的空隙不会成为问题。但是，在要求精细的蚀刻的情况下，在存在空隙的区域中，将成为掩模的至少一部分从基板的主面上浮的状态。因此，在后续的蚀刻工序中，基板的额外的部分会被蚀刻，容易产生最终产品的不良。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平3-141358号公报

发明内容

本公开涉及的发明的目的在于，以简易的工序、用精细的图案对基板进行蚀刻。

本公开涉及的发明的一个方面涉及等离子体处理方法，包括以下的工序。即，该等离子体处理方法包括：粘附工序，在具备第一主面和第一主面的相反侧的第二主面的基板的第一主面粘附树脂膜；以及图案化工序，对树脂膜进行图案化，从而形成具有使基板的被处理区域露出的开口部的掩模。此外，等离子体处理方法包括：第一等离子体工序，在包含第一气体的减压环境中生成第一气体的第一等离子体，并使掩模暴露于所述第一等离子体，从而减少掩模与第一主面之间的空隙。进而，等离子体处理方法包括：第二等离子体工序，在包含第二气体的环境中用第二气体生成第二等离子体，并使从开口部露出的被处理区域暴露于第二等离子体，从而对被处理区域进行蚀刻。

发明效果

根据本公开涉及的发明的等离子体处理方法，即使在将树脂膜粘附到基板的主面时有微小的空隙介于树脂膜与基板的主面之间的情况下，也能够用精细的图案对基板进行蚀刻。

附图说明

图1是示意性地示出在本公开的实施方式涉及的等离子体处理方法中使用的等离子体处理装置的一个例子的构造的概略剖视图。

图2A是示意性地示出本公开的实施方式涉及的等离子体处理方法的一个工序的工序图。

图2B是示意性地示出本公开的实施方式涉及的等离子体处理方法的一个工序的工序图。

图2C是示意性地示出本公开的实施方式涉及的等离子体处理方法的一个工序的工序图。

图2D是示意性地示出本公开的实施方式涉及的等离子体处理方法的一个工序的工序图。

图2E是示意性地示出本公开的实施方式涉及的等离子体处理方法的一个工序的工序图。

图2F是示意性地示出本公开的实施方式涉及的等离子体处理方法的一个工序的工序图。