[发明专利]有机电致发光显示器件及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201710091099.4 | 申请日: | 2017-02-20 |
公开(公告)号: | CN106847867B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 许正印;赖韦霖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供了有机电致发光显示器件及其制备方法和显示装置,该有机电致发光显示器件包括发光区和围绕所述发光区的外围电路区,发光区包括阴极,发光层,阳极,像素驱动电路,外围电路区包括第一电源线、第二电源线和阵列基板行驱动电路,阴极延伸至外围电路区并与第一电源线电连接,该有机电致发光显示器件还包括至少覆盖阴极与第一电源线连接区域的保护层。通过设置保护层,可以有效降低阴极搭接电阻,降低器件功耗,延缓阴极腐蚀和提高封装效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体的,涉及有机电致发光显示器件及其制备方法和显示装置。
背景技术
有机电致发光显示显示是以有机材料作为发光层的一种新型主动发光的显示器件,具有重量轻、厚度薄、响应速度快、无需背光源且可实现柔性显示等优点,是新一代梦幻显示器件。按照有机电致发光显示器件的发光位置,可分为底发射有机电致发光显示和顶发射有机电致发光显示两种,其中顶发射相比于底发射具有开口率较高的优势,成为主流的显示器件结构。但是,顶发射有机电致发光显示需要半透明的金属阴极,因此阴极厚度很薄,通常在十几纳米左右,而阴极与第一电源线(即Vss电路)搭接时存在的坡度差高达到1~2微米,导致容易出现断层断路的情况,并且由于阴极所用金属通常是较为活泼的低功函金属,很容易被水氧气腐蚀,导致有机电致发光显示器件失效。
因而,目前顶发射有机电致发光显示相关技术仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种能够降低阴极搭接电阻,降低器件功耗,延缓阴极腐蚀或提高封装效果的有机电致发光显示器件。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种有机电致发光显示器件。根据本发明的实施例,该有机电致发光显示器件包括发光区和围绕所述发光区的外围电路区,发光区包括阴极,发光层,阳极,像素驱动电路,外围电路区包括第一电源线、第二电源线(即ELVss电路)和阵列基板行驱动电路(即GOA电路)等,所述阴极延伸至所述外围电路区并与所述第一电源线电连接,该有机电致发光显示器件还包括至少覆盖所述阴极与所述第一电源线连接区域的保护层。发明人发现,通过在阴极与所述第一电源线连接区域设置保护层,可以有效降低阴极搭接电阻,降低器件功耗,延缓阴极腐蚀和提高封装效果,有效解决了现有技术中阴极容易出现断层断路的情况,很容易被水氧气腐蚀,导致有机电致发光显示器件失效的问题。
根据本发明的实施例,形成所述保护层的材料包括钙、镁、银、铝和镱中的至少一种。
根据本发明的实施例,所述保护层的厚度为100~1000纳米。
根据本发明的实施例,所述保护层的宽度为300~700微米。
根据本发明的实施例,所述保护层通过物理气相沉积或热蒸镀方法形成。
根据本发明的实施例,形成所述阴极的材料为Mg/Ag合金。
根据本发明的实施例,所述阴极的厚度为10~20纳米。
在本发明的另一方面,本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例,该显示装置包括前面所述的有机电致发光显示器件。本领域技术人员可以理解,前面描述的有机电致发光显示器件的所有特征和优点均适用于该显示装置,在此不再一一赘述。
在本发明的又一个方面,本发明提供了一种制备上述有机电致发光显示器件的方法。根据本发明的实施例,该方法包括:在基板上形成像素驱动电路(即TFT电路)、阵列基板行驱动电路和第一电源线等背板驱动电路;形成平坦化层;形成第二电源线、阳极和像素定义层;形成发光层和阴极;形成至少覆盖所述阴极与所述第一电源线连接区域的保护层。发明人发现,通过该方法可以快速有效的制备获得前面所述的有机电致发光显示器件,且步骤简单,操作方便,工艺成熟,易于规模化生产。另外,制备获得的有机电致发光显示器件具有较低的阴极搭接电阻、器件功耗,且阴极不易腐蚀,封装效果理想。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的