[发明专利]电阻式随机存取存储器阵列的操作方法与集成电路芯片

权利要求书

1.一种电阻式随机存取存储器阵列的操作方法，包括：

执行一被选择的电阻式随机存取存储器装置的一读取操作，该读取操作包括：

施加一第一读取电压至耦接一电阻式随机存取存储器阵列中的一电阻式随机存取存储器单元列的一字线，以启动该字线，其中该电阻式随机存取存储器单元列包括该被选择的电阻式随机存取存储器装置；

施加一第二读取电压至耦接该被选择的电阻式随机存取存储器装置的一第一电极的一位元线；以及

施加一或多个非零偏压至耦接该电阻式随机存取存储器单元列中具有多个未选择的电阻式随机存取存储器装置的多个电阻式随机存取存储器单元的多个位元线以及多个选择线，

其中该第一读取电压高于该一或多个非零偏压。

2.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器阵列的操作方法，其中，该第一读取电压等于1.4伏特。

3.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器阵列的操作方法，其中，该一或多个非零偏压等于该第二读取电压。

4.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器阵列的操作方法，还包括：

施加一第三读取电压至可操作地耦接该被选择的电阻式随机存取存储器装置的一第二电极的一选择线，其中该第二读取电压大于该第三读取电压。

5.如权利要求4所述的电阻式随机存取存储器阵列的操作方法，其中，该第三读取电压可等于一漏极供应电压。

6.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器阵列的操作方法，还包括：

在一设置操作期间以及一重置操作期间，不施加该一或多个非零偏压至耦接该电阻式随机存取存储器单元列中具有所述未选择的电阻式随机存取存储器装置的所述电阻式随机存取存储器单元的所述位元线以及所述选择线。

7.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器阵列的操作方法，还包括：

对该被选择的电阻式随机存取存储器装置执行一设置操作，其中该设置操作包括：

施加一第一设置电压至耦接该电阻式随机存取存储器阵列的该电阻式随机存取存储器单元列的该字线，以启动该字线；以及

施加一第二设置电压至耦接该被选择的电阻式随机存取存储器装置的该第一电极的该位元线。

8.如权利要求7所述的电阻式随机存取存储器阵列的操作方法，其中，该第一读取电压大于该第一设置电压。

9.如权利要求7所述的电阻式随机存取存储器阵列的操作方法，还包括：

施加小于该第二设置电压的一第三设置电压至可操作地耦接该被选择的电阻式随机存取存储器装置的一第二电极的一选择线，其中该第一读取电压与该一或多个非零偏压之间的差值等于该第一设置电压与该第三设置电压之间的差值。

10.一种电阻式随机存取存储器阵列的操作方法，包括：

执行一被选择的电阻式随机存取存储器装置的一读取操作，该读取操作包括：

施加一第一非零电压至耦接一电阻式随机存取存储器阵列的一电阻式随机存取存储器单元列的一字线，其中该电阻式随机存取存储器单元列包括该被选择的电阻式随机存取存储器装置；

施加一第二非零电压至耦接该被选择的电阻式随机存取存储器装置的一第一电极的一位元线；

施加一基本上为零的电压至可操作地耦接该被选择的电阻式随机存取存储器装置的一第二电极的一选择线；以及

施加一非零偏压至耦接该电阻式随机存取存储器单元列中具有多个未选择的电阻式随机存取存储器装置的多个电阻式随机存取存储器单元的多个位元线以及多个选择线，

其中该第一非零电压大于该非零偏压。

11.如权利要求10所述的电阻式随机存取存储器阵列的操作方法，其中，该第二非零电压等于该非零偏压。