[发明专利]一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法

说明书

本发明提供了一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将蓝光芯片上表面分为A区域、B区域、C区域三个区域，先在蓝光芯片表面涂上荧光胶A和光刻胶，对B区域、C区域进行曝光，对A区域进行显影，去除显影部分的光刻胶A，去除曝光区域的荧光胶A；S2：在蓝光芯片表面涂上荧光胶B与光刻胶，对B曝光进行显影，然后去胶；S3：在蓝光芯片表面涂抹荧光胶C和光刻胶，对A区域、B区域进行曝光，对C区域进行显影，去胶。本可实现微小化，同颗芯片做到已um为单位的小区域RGB单色光发光区域，已满足如今清晰度越来越高的液晶面板的要求。

技术领域

本发明涉及到LED技术领域，特别是一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法。

背景技术

发明原因，多色小尺寸芯片的需求很高。在大功率照明领域，采用多个小芯片串并联的技术已经使用的很成熟也很广泛。和单一大功率芯片比起来，此工艺的芯片成本较低，整体的散热性也更好、光效更高、光衰更慢，可同时达到高效率及高功率的目标，虽然有工序较复杂、信赖性较低等隐忧，但也难以动摇它的地位。其次，在显示屏应用的领域,RGB多芯片封装是一个主流的工艺，随着象素的密度越高(即分辨率越高)，单位面积下单个象素点的尺寸就必须越来越小，在逐渐朝着”小间距化”方向发展的同时，所能使用的R、G、B三色芯片的尺寸也必须越来越小，藉此满足市场上高分辨率的要求。

光刻的步骤主要有：前处理、旋涂光刻胶、前烘、曝光、显影、坚膜、检查图形几个步骤。

光刻通常分为以光子为光源的光刻技术、以粒子为光源的光刻技术以及物理接触式光刻技术。在上述光刻技术中，以光子为基础的光刻技术种类很多，其原理是当光照射到光刻胶上时，受到光照的部分发生降解反应而能被显影液溶解(正胶)，或发生交链反应而成为不溶物(负胶)，正胶显影后的图形与掩膜板上图形一致，负胶显影后的图形与掩膜板上互补。

传统方法是利用小的R、G、B芯片封装，但该方法存在缺陷很明显。详细如下：

小芯片无法做到微小化，常规小芯片规格也在6-8mil左右；

每颗芯片采用打线或倒装方式封装，异常概率比较高，如何将小芯片完成合适的固晶，较难；如何在小芯片小pad上打好金线，也是个难题。容易出现打线异常；

小芯片串并联封装，增加了整体出现异常的概率；

小芯片固晶、焊线，需要每颗抓取花费时间长，对产能降低非常明显。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法，其包括以下步骤：

S1：将蓝光芯片上表面分为A区域、B区域、C区域三个区域，先在蓝光芯片表面涂上荧光胶A和光刻胶，对B区域、C区域进行曝光，对A区域进行显影，去除显影部分的光刻胶A，去除曝光区域的荧光胶A；

S2：在蓝光芯片表面涂上荧光胶B与光刻胶，对B曝光进行显影，对A区域、C区域进行曝光，去显影区域的光刻胶和曝光区域荧光胶B；

S3：在蓝光芯片表面涂抹荧光胶C和光刻胶，对A区域、B区域进行曝光，对C区域进行显影，去显影区域的光刻胶和曝光区域荧光胶C；最后得到得到蓝光芯片搭配荧光胶A、荧光胶B、荧光胶C，所述A区域、B区域、C区域表面分别附有荧光胶A、荧光胶B、荧光胶C。

较佳地，所述光刻胶A为使芯片发红光的荧光胶，所述光刻胶B使芯片发蓝光的荧光胶，所述光刻胶C为使芯片发绿光的荧光胶。

本发明具有以下有益效果：

本发明可实现微小化，同颗芯片做到以um为单位的小区域RGB单色光发光区域，以满足如今清晰度越来越高的液晶面板的要求；

利用大芯片、倒装或者CSP芯片，减低固晶、打线的次数和难度；