[发明专利]一种OLED材料的制备方法及其应用

说明书

本发明涉及一种OLED材料的制备方法及其应用，所述OLED材料具有符合式(1)所示的分子结构，其中，式中X为SO₂或C(CN)₂；两个Ar独立选自氢基或碳原子数6‑60的芳胺基或含N、O、S杂原子的芳基基团，本发明提供的OLED材料具有热稳定性好、分子间不易结晶、不易聚集、成膜性好的特点，制备工艺简单，作为发光层材料，应用于有机电致发光领域，具有良好的光电性能。

技术领域

本发明属于有机电致发光领域，具体涉及一种OLED材料的制备方法及其应用。

背景技术

自1987年以来，有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diodes，简称OLEDs)逐渐成为业界公认的下一代平板显示技术。OLEDs属于自发光器件，当电荷(电子和空穴)被注入到阳极和阴极之间的有机膜时，电子和空穴复合形成激子并将能量传递给发光分子，进而激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量经过辐射失活而发光。OLEDs具有自发光、驱动电压低、轻薄、发光视角宽、响应速度快、可弯曲折叠、能耗低、可进行大面积生产等优点，因而在信息显示和固态照明领域具有广阔的应用前景。

然而，传统有机荧光材料只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)。外量子效率普遍低于5％，与磷光器件的效率还有很大差距。尽管磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％。但磷光材料存在价格昂贵，材料稳定性较差，器件效率滚落严重等问题限制了其在OLEDs的应用。热激活延迟荧光(TADF)材料是继有机荧光材料和有机磷光材料之后发展的第三代有机发光材料。该类材料一般具有小的单线态-三线态能级差(△E_ST)，三线态激子可以通过反系间窜越转变成单线态激子发光。这可以充分利用电激发下形成的单线态激子和三线态激子，器件的内量子效率可以达到100％。同时，材料结构可控，性质稳定，价格便宜无需贵重金属，在OLEDs领域的应用前景广阔。

虽然理论上TADF材料可以实现100％的激子利用率，但实际上存在如下问题:(1)设计分子的T₁和S₁态具有强的CT特征,非常小的S₁-T₁态能隙，虽然可以通过TADF过程实现高T₁→S₁态激子转化率，但同时导致低的S₁态辐射跃迁速率，因此，难于兼具(或同时实现)高激子利用率和高荧光辐射效率；(2)即使已经采用掺杂器件减轻T激子浓度猝灭效应，大多数TADF材料的器件在高电流密度下效率滚降严重。

就当前OLED显示照明产业的实际需求而言，目前OLED材料的发展还远远不够，落后于面板制造企业的要求，因此开发出高性能发光层材料显得尤为重要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种OLED材料的制备方法及其应用，以二苯并噻庚英衍生物及二苯并环庚烯丙二腈为母核的化合物及其在有机电致发光器件上的应用。本发明基于TADF机理的芳基取代二苯并噻庚英衍生物及二苯并环庚烯丙二腈为母核类化合物作为发光层材料应用于有机发光二极管上，具有良好的光电性能，能够满足面板制造企业的要求。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种OLED材料，包括具有符合式(1)所示的分子结构，

其中，式中X为SO₂或两个Ar独立选自氢基或碳原子数6-60的芳胺基或含N、O、S杂原子的芳基基团。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述两个Ar相同或不相同，其中Ar部分结构如下：