[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201710080441.0 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN107104074B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 蒲裕充;泷昭彦;岩田智巳;江户彻;山田邦夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括旋转台和基板旋转保持装置,该基板旋转保持装置被设置成与所述旋转台一同以沿铅垂方向的旋转轴线为轴进行旋转且包括用于将基板支撑为呈水平的多个支撑销,
所述支撑销包括具有支撑部的可动销,该支撑部被设置为能够在与所述基板的周缘部抵接的抵接位置与比所述抵接位置更远离所述旋转轴线的开放位置之间移动;
所述基板处理装置还包括:
驱动用磁铁,其与所述可动销对应地设置,且在所述旋转台的径向上具有规定的磁极方向;
按压用磁铁,具有在其与所述驱动用磁铁之间提供磁吸引力或者磁排斥力的磁极,利用该磁吸引力或者该磁排斥力,使所述支撑部推向所述抵接位置而使该支撑部按压于所述基板的周缘部;
按压力变动单元,其随着所述旋转台的旋转,将所述支撑部按压所述基板的周缘部的按压力大小一边保持为大于零一边使该大小变动,
所述按压力变动单元包括:
磁力产生用磁铁,其是除所述按压用磁铁以外的另一磁铁,具有在其与所述驱动用磁铁之间提供用于使所述支撑部推向所述开放位置的磁吸引力或者磁排斥力的磁极;
磁铁驱动单元,其用于驱动所述磁力产生用磁铁;
旋转驱动单元,其用于使所述旋转台和所述磁力产生用磁铁以所述旋转轴线为轴进行相对旋转;
按压力变动控制单元,其控制所述磁铁驱动单元和所述旋转驱动单元,将所述支撑部的所述按压力大小一边保持为大于零一边使该大小变动;
所述磁力产生用磁铁在所述旋转台的旋转方向上局部设置,
所述按压力变动控制单元执行磁力产生位置配置工序和旋转工序,所述磁力产生位置配置工序是将所述磁力产生用磁铁配置在第一位置的工序,该第一位置是在所述磁力产生用磁铁与所述驱动用磁铁之间产生的磁吸引力或者磁排斥力小于在所述驱动用磁铁与所述按压用磁铁之间产生的磁吸引力或者磁排斥力的位置;该旋转工序是在将所述磁力产生用磁铁配置于所述第一位置的状态下,使所述旋转台和所述磁力产生用磁铁以所述旋转轴线为轴进行相对旋转的工序。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述磁力产生用磁铁包括在所述旋转台的径向上彼此具有不同的磁极方向的第一磁力产生用磁铁和第二磁力产生用磁铁,
所述第一磁力产生用磁铁和所述第二磁力产生用磁铁沿周向彼此交替地配置。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述磁力产生用磁铁包括多个在所述旋转台的径向上彼此具有相同的磁极方向的磁力产生用磁铁,
多个所述磁力产生用磁铁沿周向隔开间隔配置。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述磁铁驱动单元包括使所述磁力产生用磁铁在所述第一位置和第二位置之间移动的磁铁移动单元,所述第二位置是在所述磁力产生用磁铁与所述驱动用磁铁之间不产生磁场的位置。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还包括用于向所述基板的上表面供给处理液的处理液供给单元,
所述按压力变动控制单元控制所述处理液供给单元使向所述基板的上表面供给处理液的处理液供给工序与所述旋转工序并行执行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710080441.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板搬送装置、基板搬送方法和存储介质
- 下一篇:半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造