[发明专利]形成自清洁膜系统的方法

权利要求书

1.一种形成自清洁膜系统的方法，所述方法包括：

将全氟化碳硅氧烷聚合物沉积到基底上以形成第一层；

移除第一层的多个部分以在第一层中限定多个空腔，并且形成从基底突出的多个突起；

将光催化材料沉积到所述多个突起上、并且沉积到所述多个空腔中，以形成第二层，该第二层包括：

设置在所述多个空腔中并与基底接触的结合部分；以及

设置在所述多个突起上并与基底间隔开的非结合部分；并且

在沉积光催化材料之后，移除所述非结合部分，从而形成自清洁膜系统。

2.如权利要求1所述的方法，其中，沉积光催化材料包括在所述多个空腔内将光催化材料化学结合到基底。

3.如权利要求1所述的方法，还包括在移除非结合部分之后，移除多个突起。

4.如权利要求3所述的方法，还包括在移除所述多个突起之后，再沉积全氟化碳硅氧烷聚合物。

5.如权利要求4所述的方法，其中，再沉积包括将全氟化碳硅氧烷聚合物擦涂到基底上，以使得全氟化碳硅氧烷聚合物接触结合部分。

6.如权利要求1所述的方法，还包括使结合部分和角鲨烯接触。

7.如权利要求6所述的方法，还包括氧化角鲨烯。

8.如权利要求6所述的方法，还包括蒸发角鲨烯。

9.一种用于基底的自清洁膜系统，所述自清洁膜系统包括：

设置在基底上并且由自清洁涂料组合物形成的膜，其中，所述自清洁涂料组合物包括光催化材料和全氟化碳硅氧烷聚合物；

其中，所述自清洁膜系统通过权利要求1-8中任一项所述的方法形成。

10.如权利要求9所述的自清洁膜系统，其中，所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反地间隔开并邻接基底的第二表面，并且其中，第一表面没有角鲨烯。