[发明专利]一种局部铝背场太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种局部铝背场太阳能电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的背面设有钝化层和背电极，所述晶体硅片的前面设有发射极、减反射层和前电极，其特征是：所述晶体硅片的背面的钝化层上设有激光开孔或开槽，所述激光开孔或开槽上设有覆盖所述开孔或开槽的第一层局部背面铝浆，其中所述第一层局部背面铝浆与所述前电极和背电极共同烧结形成，所述第一层局部背面铝浆上设有经高温处理的第二层背面铝浆。

2.根据权利要求1所述的局部铝背场太阳能电池，其特征是：所述第二层背面铝浆与所述背电极和所述第一层局部背面铝浆直接或间接电连接。

3.根据权利要求1所述的局部铝背场太阳能电池，其特征是：所述第一层局部背面铝浆完全覆盖所述激光开孔或开槽，所述第一层局部背面铝浆的图形与所述激光开孔或开槽的图形相适配，且所述第一层局部背面铝浆的厚度为2～40μm。

4.根据权利要求1所述的局部铝背场太阳能电池，其特征是：所述第二层背面铝浆全部覆盖所述第一层局部背面铝浆，且全部或部分覆盖所述晶体硅片的背面，所述第二层背面铝浆的面积占所述晶体硅片背面总面积的4～100％，所述第二层背面铝浆的厚度为2～40μm。

5.根据权利要求1所述的局部铝背场太阳能电池，其特征是：所述共同烧结的温度为600～900℃。

6.根据权利要求1所述的局部铝背场太阳能电池，其特征是：所述高温处理的温度为200～800℃。

7.根据权利要求1所述的局部铝背场太阳能电池，其特征是：所述晶体硅片为p型单晶硅片，所述p型单晶硅片沉积钝化层之前先经包括轻掺杂、制绒、清洗、扩散、去背结和去磷硅玻璃中的一种或几种工序处理。

8.权利要求1-7任一项所述局部铝背场太阳能电池的制备方法，其特征是包括以下步骤：选取晶体硅片，经包括背面钝化层设置、前面发射极和减反射层设置以及背面激光开孔或开槽的前处理后再设置背面铝浆步骤，其中背面铝浆采用两层印刷，首先在所述激光开孔或开槽上设置覆盖所述激光开孔或开槽的第一层局部背面铝浆，接着在所述晶体硅片的前表面设置前电极，然后将第一层局部背面铝浆、背电极和前电极进行共同烧结，最后在第一层局部背面铝浆上设置第二层背面铝浆，经高温处理形成局部铝背场太阳能电池。