[发明专利]铝膜工艺方法

说明书

本发明公开了一种铝膜工艺方法，适用于厚度不低于的铝膜，去除金属膜时去掉聚合物，再用湿法刻蚀加干法刻蚀将剩余聚合物完全去除。去除金属膜采用氧气流和水剥离的方法。本发明方法在金属膜剥离时去除聚合物，再用湿法刻蚀和干法刻蚀完全去除剩余的聚合物，能将聚合物去除干净，增加后续工艺腐蚀窗口。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是指一种针对厚度以上的铝膜工艺方法。

背景技术

铝在半导体工艺中被广泛应用，比如形成金属互连线、各种极板等等。从导电性能的角度来看，铝的导电性要比铜和金差一些，但如果用铜代替铝，铜与铝的接触电阻很高，并且如果铜进入器件区将引起器件性能的灾难，而铝则不具有前述问题，因而成为一种很好的选择。它有足够低的电阻率，有很好的过电流密度，对二氧化硅有很好的粘附性，能形成很高的纯度，天然具备与硅的低接触电阻，易于图形化工艺等等。

传统的铝膜湿法刻蚀是基于磷酸。现有厚铝(厚度以上)刻蚀工艺中由于刻蚀时间长，使用光刻胶厚，导致铝金属侧壁的聚合物(剩余的光刻胶)很厚，后续即使使用多次湿法和干法刻蚀都不能有效把聚合物去除干净，如图1所示，而造成金属腐蚀的因素之一的氯气Cl₂,都隐藏在聚合物里面，铝腐蚀的反应原理为：

Al+Cl₂→AlCl₃；

AlCl₃+H₂O→Al(OH)₃+Cl₂.

可以看出，上述反应式能反复循环进行，铝就一直被腐蚀下去。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种铝膜工艺方法，能完全去除聚合物，保护铝膜不会被腐蚀。

本发明所述的铝膜工艺方法，适用于厚度不低于的铝膜，去除金属膜时去掉聚合物，再用湿法刻蚀加干法刻蚀将剩余聚合物完全去除。

进一步地，去除金属膜采用氧气流和水剥离的方法。

进一步地，去除金属膜时温度控制在230～270℃。

进一步地，氧气流使用工艺参数为:压力2Torr,射频功率0W，氧气流量4000sccm，时间为20s；水剥离使用工艺参数为：压力2Torr，射频功率1400w，水蒸气流量500sccm，时间为60s。

本发明所述的铝膜工艺方法，在金属膜剥离时去除聚合物，再用湿法刻蚀和干法刻蚀完全去除剩余的聚合物，能将聚合物去除干净，增加后续工艺腐蚀窗口。

附图说明

图1是铝金属膜聚合物残留的示意图，图中可见金属侧壁有聚合物残留。

图2是使用本发明工艺后，金属膜侧壁聚合物被去除干净的示意图。

具体实施方式

本发明所述的铝膜工艺方法，适用于厚度不低于的厚铝膜，首先是去除金属膜时去掉聚合物，去除金属膜采用氧气流和水剥离的方法，温度控制在230～270℃，氧气流使用工艺参数为:压力2Torr,射频功率0W，氧气流量4000sccm，时间为20s；水剥离使用工艺参数为：压力2Torr，射频功率1400w，水蒸气流量500sccm，时间为60s。再用湿法刻蚀加干法刻蚀将剩余聚合物完全去除。如图2所示，经过上述工艺之后，金属铝膜侧壁的聚合物已经几乎被全部去除，金属侧壁保持干净，增加后续工艺的腐蚀窗口。

以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。