[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201710067648.4 | 申请日： | 2017-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN107046063A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 观田康克 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其中，
在第1绝缘膜上形成氧化物半导体层，
在所述氧化物半导体层上形成由钼或钼合金构成的第1导电层，
在所述第1导电层上形成第2导电层，
在所述第2导电层上形成抗蚀剂掩模，
利用所述抗蚀剂掩模，对所述第2导电层进行干式蚀刻，由此形成第1导电部及第2导电部。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
以所述第1导电部及所述第2导电部作为掩模，对所述第1导电层进行湿式蚀刻，形成与所述第1导电部重叠且与所述第1导电部一起形成第1电极的第3导电部、和与所述第2导电部重叠且与所述第2导电部一起形成第2电极的第4导电部。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，通过包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)中的至少1者的氧化物来形成所述氧化物半导体层。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，使用钼钨(MoW)来形成所述第1导电层。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
在形成所述第2导电层时，
在所述第1导电层上使用钛(Ti)来形成第1层，
在所述第1层上使用铝(Al)或铝合金来形成第2层，
在所述第2层上使用钛(Ti)来形成第3层，
由所述第1层、所述第2层及所述第3层的层叠体形成所述第2导电层。
6.一种薄膜晶体管，其具备：
配置于第1绝缘膜上的氧化物半导体层；
配置于所述第1绝缘膜及所述氧化物半导体层的上方的第1导电部及第2导电部；
第3导电部，其位于所述第1导电部与所述氧化物半导体层之间，与所述第1导电部和所述氧化物半导体层相接，且与所述第1导电部一起形成第1电极；和
第4导电部，其位于所述第2导电部与所述氧化物半导体层之间，与所述第2导电部和所述氧化物半导体层相接，且与所述第2导电部一起形成第2电极，
所述第1电极和所述第2电极空开间隔而配置，
所述第3导电部及所述第4导电部通过钼或钼合金来形成。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层通过包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)中的至少1者的氧化物来形成。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述第3导电部及所述第4导电部使用钼钨(MoW)来形成。
9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述第1导电部及第2导电部为层叠体，该层叠体具备配置于所述第3导电层及第4导电层上且使用钛(Ti)而形成的第1层、配置于所述第1层上且使用铝(Al)或铝合金而形成的第2层、和配置于所述第2层上且使用钛(Ti)而形成的第3层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本显示器，未经株式会社日本显示器许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710067648.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
