[发明专利]一种以金属酞菁化合物作为电子传输层的平面钙钛矿光伏电池在审

专利信息
申请号: 201710067481.1 申请日: 2017-02-07
公开(公告)号: CN106848065A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 晋芳芳 申请(专利权)人: 晋芳芳
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 241000 安徽省芜湖*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 化合物 作为 电子 传输 平面 钙钛矿光伏 电池
【权利要求书】:

1.一种以金属酞菁化合物作为电子传输层的平面钙钛矿光伏电池,包括透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极;其特征在于所述电子传输层是覆盖在钙钛矿光吸收层上的金属酞菁化合物薄膜。

2.如权利要求1所述的平面钙钛矿光伏电池,其特征在于,所述的透明导电衬底为沉积有ITO、FTO、AZO的玻璃衬底或者柔性衬底。

3.如权利要求1所述的平面钙钛矿光伏电池,其特征在于,所述的空穴传输层为PEDOT:PSS、CuI、CuSCN、NiO、spiro-OMeTAD、P3HT、PTAA、PF8-TAA、PDPPDBTE、polyTPD中的一种。

4.如权利要求1所述的平面钙钛矿光伏电池,其特征在于所述的钙钛矿吸光层为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbI3-xClx、CH3NH3PbBr3、CsPbI3、CsPbI3-xClx、CsPbBr3中的一种。

5.如权利要求1所述的平面钙钛矿光伏电池,其特征在于,所述的电子传输层通过真空热沉积的方法制备,为F16CuPc、CuPc、SnclPc、ZnPc、SubPc、PbPc、ClAlPc中的一种。

6.如权利要求1所述的平面钙钛矿光伏电池,其特征在于,所述的电极修饰层为BAlQ3、Bphen、BCP、AlQ3、TPBI中的一种。

7.如权利要求1所述的平面钙钛矿光伏电池,其特征在于,所述的金属电极为Au、Ag、Al或者其合金中的一种。

8.如权利要求1所述的平面钙钛矿光伏电池,其特征在于,器件的制备包括以下步骤:

透明导电衬底采用丙酮、玻璃清洗剂依次清洗,丙酮、去离子水、异丙醇中各超声处理10分钟;氮气吹干后紫外灯照射处理10分钟;

在透明导电衬底上制备空穴传输层;

在空穴传输层上制备钙钛矿光吸收层;

在钙钛矿光吸收层上制备电子传输层;

在电子传输层上制备电极修饰层;

在电极修饰层上制备金属电极。

9.如权利要求1、5、8中所述的电子传输层,其特征在于其制备包括以下步骤:

(1)打开超高真空沉积系统,装入生长好钙钛矿吸光层的衬底和金属配合物材料;

(2)超高真空沉积系统抽真空至压力小于10-4Pa后,开始真空沉积电子传输层;

(3)使用石英晶振片监控电子传输层的膜厚,电子传输层的膜厚在20-80 nm,沉积速率控制在0.05-0.2 nm/s。

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