[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201710063885.3 | 申请日: | 2017-02-04 |
公开(公告)号: | CN106847941B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 李艺明;邓国云;李浩 | 申请(专利权)人: | 江苏神科新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人: | 何家富 |
地址: | 224000 江苏省盐城市青*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种碲化镉薄膜太阳能电池,包括前基板,以及沿远离前基板的方向依次设置在前基板上的阻挡层、前电极层、缓冲层、n型半导体层、p型半导体层、背电极层,其特征在于:所述背电极层包括硫化锌膜层、银或银合金或金或金合金膜层和透明导电氧化物膜层,所述硫化锌膜层位于p型半导体层上,所述银或银合金或金或金合金膜层覆盖在所述硫化锌膜层之上,所述透明导电氧化物膜层覆盖在所述银或银合金或金或金合金膜层之上。
2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述缓冲层为氧化锡膜层、氧化锌膜层、氧化锌锡膜层或者氧化锌镁膜层。
3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述p型半导体层为p型碲化镉膜层、p型碲化镉锌膜层或p型碲化锌膜层。
4.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述p型半导体层与背电极层之间插入有一层接触层。
5.根据权利要求4所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述接触层为铜掺杂碲化镉膜层、铜掺杂碲化锌膜层、铜掺杂碲化镉锌膜层、氮掺杂碲化锌膜层、氮掺杂碲化镉膜层或氮掺杂碲化镉锌膜层。
6.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述p型半导体层与背电极层之间插入有一层本征或p型硫化镉层。
7.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述硫化锌膜层与银或银合金或金或金合金膜层之间插入有一层氧化锌基膜层,和/或在所述银或银合金或金或金合金膜层与透明导电氧化物膜层之间形成一层TiOx膜层或NiCrOx膜层,其中,所述TiOx膜层中x≤2;NiCrOx膜层中x≤3。
8.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述阻挡层为氮化硅层、氧化硅层、铝掺杂氧化硅层、硼掺杂氮化硅层、磷掺杂氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种膜层组成;或所述阻挡层为包含氮化硅、氧化硅、铝掺杂氧化硅、硼掺杂氮化硅、磷掺杂氮化硅和氮氧化硅中的至少两种的复合材料层。
9.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述n型半导体层为n型硫化镉层或者n型硫化镉锌层。
10.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述前电极层为锡酸镉层、氧化镉锡层、掺氟氧化锡层、掺锑氧化锡膜层、掺碘氧化锡层、掺锡氧化铟层和掺铝氧化锌层中的至少一种膜层组成;或所述前电极层为包含锡酸镉、氧化镉锡、掺氟氧化锡、掺锑氧化锡、掺碘氧化锡、掺锡氧化铟和掺铝氧化锌中的至少两种的复合材料层;所述透明导电氧化物膜层为AZO膜层、GZO膜层、IGZO膜层、BZO膜层、IZO膜层、ITO膜层、ITIO膜层、IWO膜层、氧化锡掺氟膜层、氧化锡掺碘膜层、氧化锡掺锑膜层中的至少一种膜层组成。
11.一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:包括如下步骤
S1,准备前基板;
S2,在前基板上沿远离前基板的方向依次制备阻挡层、前电极层、缓冲层、n型半导体层、p型半导体层、背电极层,所述背电极层包括硫化锌膜层、银或银合金或金或金合金膜层和透明导电氧化物膜层,所述硫化锌膜层位于p型半导体层上,所述银或银合金或金或金合金膜层覆盖在所述硫化锌膜层之上,所述透明导电氧化物膜层覆盖在所述银或银合金或金或金合金膜层之上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的