[发明专利]接触式影像传感器在审
申请号: | 201710063511.1 | 申请日: | 2017-02-03 |
公开(公告)号: | CN107068704A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 林继周;和正平 | 申请(专利权)人: | 旭景科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 景怀宇 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 影像 传感器 | ||
1.一种接触式影像传感器,包括:
基板;
感测单元阵列,形成于所述基板之上;
第一绝缘结构,形成于所述感测单元与所述基板之上;
多个聚焦单元,形成于所述第一绝缘结构之上,每一所述聚焦单元位于对应的感测单元上方并与所述对应的感测单元对齐,所述第一绝缘结构夹杂于所述聚焦单元与所述感测单元之间;
导电金属层,连接至控制电路;
有机发光二极管单元阵列,形成于所述导电金属层之上并与所述导电金属层连接;
透明导电层,形成于所述有机发光二极管单元阵列之上,并连接至所述控制电路以控制多个所述有机发光二极管单元的状态;及
透明绝缘结构,形成于所述透明导电层之上。
2.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述聚焦单元为形成于所述导电金属层上的针孔。
3.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,还包括:
第二绝缘结构,形成于所述聚焦单元与所述导电金属层之间。
4.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述有机发光二极管单元包括:
空穴传输层,用于接收来自所述导电金属层的空穴;
电子传输层,用于接收来自所述透明导电层的电子;及
发射层,形成于所述空穴传输层与所述电子传输层之间,用于在工作电压提供时,发射光束。
5.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述感测单元为互补式金属氧化物半导体影像单元或感光耦合组件影像单元。
6.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述导电金属层由金属材料制成。
7.根据权利要求6所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述金属材料为铜、铝、金或前述物质之合金。
8.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述第一绝缘结构与所述第二绝缘结构非不透明。
9.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述感测单元与所述有机发光二极管单元交错排列。
10.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,来自所述有机发光二极管单元的光束由接触所述透明绝缘结构的物体所反射,并通过所述聚焦单元以被所述感测单元所接收。
11.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,多个所述感测单元被顺序驱动以接收发自多个所述有机发光二极管单元的反射光束。
12.根据权利要求11所述的接触式影像传感器,其特征在于,当一个所述感测单元被驱动时,一个或多个对应的所述有机发光二极管单元被开启,以便获得由所述反射光束形成之最佳质量影像。
13.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述透明导电层由氧化铟锡制成。
14.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述多个聚焦单元形成于一层不透明材料中。
15.根据权利要求14所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述不透明材料是金属。
16.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述聚焦单元为针孔。
17.根据权利要求1所述的接触式影像传感器,其特征在于,所述导电金属层包括多个导线,每一所述导线连接至所述有机发光二极管单元阵列的一行或一列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的