[发明专利]N型双面电池结构

权利要求书

1.一种N型双面电池结构，其特征在于：包括基体，基体为N型，基体的正面为掺硼的发射极，发射极上沉积有第一减反钝化膜，第一减反钝化膜上有正面电极，正面电极穿透第一减反钝化膜与发射极形成欧姆接触；基体的背面生长一层薄膜，即隧穿氧化层，隧穿氧化层上设有掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层上沉积有第二减反钝化膜，第二减反钝化膜上设置有背面电极，背面电极穿透第二减反钝化膜与掺杂多晶硅层形成欧姆接触。

2.如权利要求1所述的N型双面电池结构，其特征在于：基体正面的发射极采用BBr₃高温扩散，常压气相沉积APCVD法沉积硼硅玻璃BSG退火或离子注入硼源退火形成；第一减反射钝化膜采用SiNx、SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一种或者多种，厚度为50-90nm。

3.如权利要求1所述的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面生长的隧穿氧化层为SiO₂、Al₂O₃、TiO₂或MoOx，厚度为1-4nm。

4.如权利要求3所述的N型双面电池结构，其特征在于：背面生长的隧穿氧化层为SiO₂时，隧穿氧化层生长采用热HNO₃氧化、热氧化或臭氧水氧化的生长方式，当隧穿氧化层为Al₂O₃、TiO₂或MoOx时，隧穿氧化层生长采用原子层气相沉积或者物理气相沉积PVD。

5.如权利要求1-4任一项所述的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面的掺杂多晶硅层为磷掺杂多晶硅层，基体背面的掺杂多晶硅层生长方式为等离子体辅助气相沉积PECVD沉积非晶硅退火或者低压化学气相沉积LPCVD沉积多晶硅退火。

6.如权利要求5所述的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面的掺杂层多晶硅层采用原位掺杂、扩散掺杂或者离子注入掺杂方式，退火温度为750-1050^oC。

7.如权利要求6所述的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面的掺杂层多晶硅层厚度为40nm-300nm，方阻为20-200Ω/□。

8.如权利要求1-4任一项所述的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面的第二减反射钝化膜是SiNx、SiO₂、TiO₂、Al₂O₃或SiOxNy薄膜中的一种或者多种，厚度为50-90nm。

9.如权利要求1-4任一项所述的N型双面电池结构，其特征在于：正面电极与背面电极分别采用丝网印刷、电镀、化学镀或物理气相沉积PVD方式形成，正面电极与背面电极分别为Ni、Cu、Ag、Cr、Ti、Pd中的一种或两种以上的组合。