[发明专利]包含钻石形像素的滤色器有效
| 申请号: | 201710052025.X | 申请日: | 2017-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN107154411B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
| 发明(设计)人: | 毛杜立 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包含 钻石 像素 滤色器 | ||
1.一种滤色器阵列,其包括:
多个平铺最小重复单元,每一最小重复单元至少包含:
四个菱形滤色器的主集合,所述菱形滤色器经定位使得每一菱形滤色器的至少两个顶点接触邻接菱形滤色器的顶点,且使得所述四个菱形滤色器形成中心间隙空间及四个外围间隙空间,其中所述主集合包含具有第一光谱光响应的至少一个滤色器、具有第二光谱光响应的至少一个滤色器及具有第三光谱光响应的至少一个滤色器;及
菱形滤色器的次集合,所述次集合包括定位于所述中心间隙空间中的菱形滤色器及定位于所述四个外围间隙空间中的三者中的菱形滤色器,其中所述次集合中的所述菱形滤色器具有不同于所述第一、第二及第三光谱光响应中的任何者的第四光谱光响应。
2.根据权利要求1所述的滤色器阵列,其中所述第一光谱光响应是红色R,所述第二光谱光响应是绿色G,所述第三光谱光响应是蓝色B,且所述第四光谱光响应是非可见光响应。
3.根据权利要求2所述的滤色器阵列,其中所述非可见光响应是红外IR、紫外或X射线。
4.根据权利要求1所述的滤色器阵列,其中所述第一光谱光响应是青色C,所述第二光谱光响应是黄色Y,所述第三光谱光响应是品红M,且所述第四光谱光响应是非可见光响应。
5.根据权利要求4所述的滤色器阵列,其中所述非可见光响应是红外IR、紫外或X射线。
6.根据权利要求1所述的滤色器阵列,其中来自所述次集合的菱形滤色器被定位于北外围间隙空间、南外围间隙空间中、及定位于东外围间隙空间与西外围间隙空间中的至少一者中。
7.根据权利要求6所述的滤色器阵列,其中来自所述次集合的菱形滤色器被定位于北外围间隙空间、南外围间隙空间、及东外围间隙空间中。
8.一种图像传感器,其包括:
像素阵列,其包含多个个别像素;
滤色器阵列,其定位于所述像素阵列上方使得所述像素阵列中的每一个别像素光学耦合到所述滤色器阵列的对应滤色器,所述滤色器阵列包括多个平铺最小重复单元,每一最小重复单元至少包含:
四个菱形滤色器的主集合,所述菱形滤色器经定位使得每一菱形滤色器的至少两个顶点接触邻接菱形滤色器的顶点,且使得所述四个菱形滤色器形成中心间隙空间及四个外围间隙空间,其中所述主集合包含具有第一光谱光响应的至少一个滤色器、具有第二光谱光响应的至少一个滤色器及具有第三光谱光响应的至少一个滤色器;及
菱形滤色器的次集合,所述次集合包括定位于所述中心间隙空间中的菱形滤色器及定位于所述四个外围间隙空间中的至少三者中的滤色器,其中所述次集合中的所述菱形滤色器具有不同于所述第一、第二及第三光谱光响应中的任何者的第四光谱光响应;
读出电路,其耦合到所述像素阵列以从所述个别像素读出信号;及
功能逻辑,其耦合到所述读出电路以处理从所述个别像素读取的所述信号。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中所述第一光谱光响应是红色R,所述第二光谱光响应是绿色G,所述第三光谱光响应是蓝色B,且所述第四光谱光响应是非可见光响应。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中所述非可见光响应是红外IR、紫外或X射线。
11.根据权利要求8所述的图像传感器,其中所述第一光谱光响应是青色C,所述第二光谱光响应是黄色Y,所述第三光谱光响应是品红M,且所述第四光谱光响应是非可见光响应。
12.根据权利要求11所述的图像传感器,其中所述非可见光响应是红外IR、紫外或X射线。
13.根据权利要求8所述的图像传感器,其中来自所述次集合的菱形滤色器被定位于北外围间隙空间、南外围间隙空间中、及定位于东外围间隙空间与西外围间隙空间中的至少一者中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





