[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其包括：

一栅极、一绝缘介质层及至少一肖特基二极管单元，所述栅极通过绝缘介质层与所述至少一肖特基二极管绝缘设置，所述肖特基二极管包括：

一第一电极，该第一电极包括一第一金属层及一第二金属层，第一金属层和第二金属层层叠设置，第一金属层的侧面和第二金属层的上表面形成一台阶状结构；

一第二电极，该第二电极包括一第三金属层及一第四金属层，第三金属层和第四金属层层叠设置，第三金属层的下表面与第四金属层的侧面形成一反向台阶状结构；

一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述半导体结构的第一端被第一金属层和第二金属层夹持，所述半导体结构的第二端被第三金属层和第四金属层夹持，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体结构为P型半导体或N型半导体。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述纳米级半导体结构为一维半导体线性材料，其直径小于等于200纳米。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述纳米级半导体结构为二维半导体薄膜，其厚度小于200纳米。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体结构的材料为砷化镓、碳化硅、多晶硅、单晶硅、萘或硫化钼。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体结构为二硫化钼薄膜，其厚度为1～2纳米。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极为一导电薄膜，该导电薄膜的厚度为0.5纳米～100微米。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘介质层为氧化铝薄膜，其厚度为20纳米。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘介质层为具有凹槽的结构的基底，肖特基二极管单元的第一电极的第二金属层和第二电极的第四金属层嵌在绝缘介质层的内部，使第二金属层、第四金属层及绝缘介质层的表面位于同一平面。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括多个设置在绝缘介质层的表面的肖特基二极管。