[发明专利]薄膜晶体管

说明书

薄膜晶体管。一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管。

背景技术

肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的一种二极管。肖特基二极管比PN结二极管具有更低的功耗、更大的电流以及超高速的优点，因此，在电子学器件中受到青睐。

对于低维纳米电子材料，和传统的硅材料不同，难以通过掺杂的办法制备二极管。目前的纳米半导体材料二极管主要通过化学掺杂或异质结的方法制备，其制备工艺复杂，一定程度上限定了二极管及应用该二极管的薄膜晶体管的应用。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管可以克服以上缺点。

一中薄膜晶体管，包括：一栅极、一绝缘介质层及至少一肖特基二极管单元，所述栅极通过绝缘介质层与所述至少一肖特基二极管绝缘设置。所述肖特基二极管包括：一第一电极，该第一电极包括一第一金属层及一第二金属层，第一金属层和第二金属层层叠设置，第一金属层的侧面和第二金属层的上表面形成一台阶状结构；一第二电极，该第二电极包括一第三金属层及一第四金属层，第三金属层和第四金属层层叠设置，第三金属层的下表面与第四金属层的侧面形成一反向台阶状结构；一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述半导体结构的第一端被第一金属层和第二金属层夹持，所述半导体结构的第二端被第三金属层和第四金属层夹持，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

与现有技术相比较，本发明提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管采用一维或者维的纳米材料作为半导体结构，无需通过掺杂等复杂工艺获得半导体材料，该肖特基二极管的结构简单，半导体材料易于制备且成本较低。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的肖特基二极管的侧视结构示意图。

图2为本发明实施例提供的肖特基二极管的侧视结构剖面示意图。

图3为本发明实施例提供的另一种情况下的肖特基二极管的侧视结构剖面示意图。

图4为本发明实施例提供的肖特基二极管阵列的侧视结构示意图。

图5为本发明实施例提供的肖特基二极管采用一维纳米结构作为半导体结构的肖特基二极管的俯视示意图。

图6为本发明实施例提供的肖特基二极管采用二维纳米结构作为半导体结构的肖特基二极管的俯视示意图。

图7为本发明实施例提供的碳纳米管水平阵列膜的扫面电镜照片。

图8为图7中提供的碳纳米管膜的结构示意图。

图9为碳纳米管无序网络膜的扫描电镜照片。

图10为本发明实施例提供的肖特基二极管的电流-电压曲线图。

图11为本发明第二实施例提供的肖特基二极管的侧视结构剖面示意图。

图12为本发明第二实施例提供的肖特基二极管的侧视结构剖面示意图。