[发明专利]一种基于光强调制型MOEMS加速度计在审

专利信息
申请号: 201710036155.4 申请日: 2017-01-18
公开(公告)号: CN106597012A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 刘俊;韩兴宇;石云波;黄堃;曹慧亮;梁涛 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G01P15/03 分类号: G01P15/03
代理公司: 北京国坤专利代理事务所(普通合伙)11491 代理人: 黄耀钧
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 调制 moems 加速度计
【权利要求书】:

1.一种基于光强调制型MOEMS加速度计,包括从下到上依次设置的衬底层(10)、中间层(11)以及器件层(12),其特征在于:器件层(12)中部设置有质量块(2),质量块(2)通过四个直连接梁(1)固支于锚点(9),质量块(2)的上下两边对称设有V形镜(4),V形镜(4)正对面设有输入光纤卡槽(5),输入光纤卡槽(5)的两侧对称设有输出光纤卡槽(6)。

2.根据权利要求1所述的一种基于光强调制型MOEMS加速度计,其特征在于:所述质量块(2)上设置有均匀密布的腐蚀孔(3)。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于光强调制型MOEMS加速度计,其特征在于:所述输入光纤卡槽(5)和输出光纤卡槽(6)内均预设光纤夹(7)。

4.根据权利要求3所述的一种基于光强调制型MOEMS加速度计,其特征在于:所述输入光纤卡槽(5)和输出光纤卡槽(6)靠近V形镜(4)的一端设置有凸台(8)。

5.根据权利要求1或4所述的一种基于光强调制型MOEMS加速度计,其特征在于:所述V形镜(4)的角度为120度,或为90度。

6.根据权利要求5所述的一种基于光强调制型MOEMS加速度计的制造工艺,其特征在于,按照以下工艺进行制造:

1)图形化:在SOI晶元片上旋涂光刻胶,竖膜曝光后显影,形成有图样的光刻胶掩膜;

2)深硅刻蚀:采用深硅刻蚀的方法刻蚀出器件层(12)的厚度;

3)去胶和腐蚀:采用47%浓度的HF酸溶液去除质量块(2)下的sio2,同时保证锚点(9)不会脱落;

4)溅射金属:在器件层(12)表面溅射金,保证V形镜(4)侧壁溅射有金属金;

5)光纤组装:在光纤卡槽中装入一个输入光纤以及两个输出光纤即可。

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