[发明专利]一种二氧化硅膜孔径的调控方法及其应用有效
| 申请号： | 201710028138.6 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106823843B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 徐荣;刘云;郭猛;钟璟;张琪 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D67/00;B01D53/22;C01B3/50 |
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| 地址： | 213164 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 二氧化硅 孔径 调控 方法 及其 应用 | ||
1.一种新型二氧化硅膜孔径的调控方法，其特征是：包括以下步骤：
(1)在异丙醇中，通过烷氧基硅烷、水和HCl的水解聚合反应，制备倍半硅氧烷溶胶；
(2)将与SiO2-ZrO2溶胶混合的二氧化硅玻璃颗粒涂覆在多孔玻璃管上，高温条件下煅烧得到膜的过渡层；
(3)将步骤(1)中得到的半硅氧烷溶胶擦涂在步骤(2)中得到的过渡层上，涂完后煅烧得到二氧化硅膜；
(4)把步骤(3)中得到的二氧化硅膜置于高温高压的氨气气氛中进行原位反应，得到改性后的二氧化硅膜。
2.根据权利要求1所述的一种新型二氧化硅膜孔径的调控方法，其特征是：所述的步骤(1)中烷氧基硅烷为三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷中的一种或两种。
3.根据权利要求1所述的一种新型二氧化硅膜孔径的调控方法，其特征是：所述的步骤(1)中的烷氧基硅烷、水和HCl的摩尔比为1：240：0.1。
4.根据权利要求1所述的一种新型二氧化硅膜孔径的调控方法，其特征是：所述的步骤(1)中烷氧基硅烷的质量分数为2.0％，水解聚合反应温度为25～45℃，水解聚合反应时间为1～2h。
5.根据权利要求1所述的一种新型二氧化硅膜孔径的调控方法，其特征是：所述的步骤(2)中多孔玻璃管的孔径为500nm，孔隙率为64％。
6.根据权利要求1所述的一种新型二氧化硅膜孔径的调控方法，其特征是：所述的步骤(2)中二氧化硅玻璃颗粒直径为300nm，煅烧温度为550℃，煅烧气氛为空气，煅烧时间为30min。
7.根据权利要求1所述的一种新型二氧化硅膜孔径的调控方法，其特征是：所述的步骤(3)中煅烧温度为400～650℃，煅烧气氛为氮气，煅烧时间为30min。
8.根据权利要求1所述的一种新型二氧化硅膜孔径的调控方法，其特征是：所述的步骤(4)中温度为400～650℃，压力为200kPa，氨气的浓度为10～100mol％氨气的载体气体为氦气。
9.权利要求1所述的一种新型二氧化硅膜孔径的调控方法的应用，其特征是：所述的二氧化硅膜孔径的调控方法适用于含有Si-H键的硅膜和含有C-H键的碳膜。
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