[发明专利]有机发光二极管装置在审
| 申请号： | 201710020882.1 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106784385A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 谢再锋 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210093 江苏省南京市鼓楼区青岛路3*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 装置 | ||
1.一种有机发光二极管装置，包括基板、设于所述基板的OLED单元及与所述基板连接且用于封装所述OLED单元的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括至少一层掺杂阻隔层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述封装结构还包括有机高分子层，所述掺杂阻隔层沉积于所述OLED单元外表面，所述有机高分子层形成于所述掺杂阻隔层外表面；或所述有机高分子层沉积于所述OLED单元外表面，所述掺杂阻隔层形成于所述有机高分子层外表面。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其特征在于，设定所述掺杂阻隔层的层数为X，所述有机高分子层的层数为Y，X与Y的关系如下：
X＝n，
Y＝n-1、n或n+1；其中n＝1，2，3……自然数；
所述掺杂阻隔层与所述有机高分子层交替排列。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述掺杂阻隔层由氮化物、氧化物、硫化物中至少两种物质掺杂形成。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述掺杂阻隔层由至少两种氮化物掺杂形成或至少两种氧化物掺杂形成或至少两种硫化物掺杂形成。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述掺杂阻隔层由两种陶瓷氧化物掺杂形成，两种所述陶瓷氧化物的质量比为0.1：0.99-0.99:1。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述陶瓷氧化物为MO，其中M选自IIA、IIA、IVA、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IIB族元素或稀土元素。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述掺杂阻隔层的厚度为1A-10μm。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述掺杂阻隔层通过热蒸镀或磁控溅射方式沉积形成。
10.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述有机高分子层通过旋涂高分子材料后固化或压合形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
