[发明专利]记忆装置、记忆单元及其控制方法

说明书

本发明公开了一种，包括：一记忆单元，包含多个记忆胞；一控制器，包含一储存单元，储存多个操作选择，各操作选择对应至多个记忆胞中至少一被选记忆胞的一属性(property)。

技术领域

本发明是有关于一种包含记忆单元的记忆装置，以及通过记忆装置内的控制器控制记忆单元的方法。

背景技术

记忆装置包含多个记忆胞以储存数据。记忆胞所储存的数据由记忆胞的临界电压所决定。然而，记忆胞的临界电压会因各种原因而漂移(drift)，例如是编程干扰、读取干扰、温度干扰及数据滞存(retention)。此种漂移会导致读记忆胞的数据读取错误，致使记忆装置失去可靠性。

发明内容

根据本揭露的一实施例，提出一种记忆装置，包括：一记忆单元，包括多个记忆胞；以及一控制器，包括一储存单元，储存单元储存多个操作选择，操作选择的各者对应至多个记忆胞中至少一被选记忆胞的属性(property)。

根据本揭露的另一实施例，提出一种记忆单元，包括：多个记忆胞；以及一储存装置，被配置以储存多个操作参数，操作参数用于记忆胞的一编程操作、读取操作或抹除操作。操作参数依据多个记忆胞中的至少一被选记忆胞的一属性而被改变。

根据本揭露的又一实施例，提出一种方法用以通过控制器控制记忆单元，此方法包括：储存多个操作选择于一储存单元中；监视记忆单元内多个记忆胞中的一被选记忆胞的一属性；以及基于被选记忆胞的属性，选择多个操作选择中的一者。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1是依照一范例实施例的记忆装置的方块图；

图2是依照一范例于增量步进脉冲编程(Incremental Step Pulse Programming，ISPP)中的编程电压与时间的示意图；

图3是依照一范例的多个多位阶记忆胞的临界电压分布的示意图；

图4是依照一范例实施例的由控制器控制记忆单元的方法的流程图；

图5是依照一范例实施例的由控制器控制记忆单元的方法的流程图；

图6是依照一范例实施例的记忆装置的方块图；

图7是依照一范例实施例的由控制器控制记忆单元的方法的流程图。

【附图标记说明】

100、600：记忆装置

110、610：记忆单元

112、612：记忆胞

114、614：储存装置

116、616：状态机

120、620：控制器

122、622：处理器

124、624：储存单元

210、310：横坐标

220、320：纵坐标

230_1、230_2、…、230_N：编程脉冲

630_1、630_2、…、630_N：记忆区块

640_1、640_2、…、640_N：储存区段

410～430、510～560、710～760：流程步骤

ΔVPGM：增量步进

VPGM：编程电压