[发明专利]一种抗单粒子翻转的同步复位D触发器有效

专利信息
申请号: 201710020100.4 申请日: 2017-01-12
公开(公告)号: CN106712743B 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 贺威;贺凌翔;张准;骆盛;吴庆阳 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H03K3/3562 分类号: H03K3/3562
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 王利彬
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 粒子 翻转 同步 复位 触发器
【权利要求书】:

1.一种抗单粒子翻转的同步复位D触发器,其特征在于,所述同步复位D触发器包括:

时钟信号输入电路、复位信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器,所述主锁存器和所述从锁存器均为双模冗余加固的锁存器;

所述同步复位D触发器有三个输入端和两个输出端,三个所述输入端分别为时钟信号输入端CLK、复位信号输入端R和数据信号输入端D,两个所述输出端分别为第一输出端Q和第二输出端QN;

所述时钟信号输入电路分别与所述时钟信号输入端CLK、所述主锁存器和所述从锁存器连接;

所述复位信号输入电路还分别与所述复位信号输入端R、所述主锁存器连接;

所述主锁存器缓冲电路分别与所述数据信号输入端D、所述主锁存器连接;

所述从锁存器缓冲电路分别与所述主锁存器、所述从锁存器连接;

所述从锁存器还与所述第一输出端Q及所述第二输出端QN连接;

所述时钟信号输入电路有一个输入端和一个输出端,一个所述输入端为所述时钟信号输入端CLK,一个所述输出端为CLK1;

所述时钟信号输入电路由第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管组成;

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管的衬底接电源VDD,所述第一NMOS管、所述第二NMOS管的衬底接地;

所述第一PMOS管的栅极Pg1连接所述时钟信号输入端CLK,源极Ps1接电源VDD,漏极Pd1连接所述第二PMOS管的源极Ps2;所述第二PMOS管的栅极Pg2连接所述时钟信号输入端CLK,漏极Pd2连接CLK1;所述第一NMOS管的栅极Ng1连接所述时钟信号输入端CLK,源极Ns1连接所述第二NMOS管的漏极Nd2,漏极Nd1连接CLK1;所述第二NMOS管的栅极Ng2连接所述时钟信号输入端CLK,源极Ns2接地。

2.如权利要求1所述的抗单粒子翻转的同步复位D触发器,其特征在于,所述复位信号输入电路有一个输入端和一个输出端,一个所述输入端为所述复位信号输入端R,一个所述输出端为R1;

所述复位信号输入电路由第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管组成;

所述第三PMOS管、所述第四PMOS管的衬底接电源VDD,所述第三NMOS管、所述第四NMOS管的衬底接地;

所述第三PMOS管的栅极Pg3连接所述复位信号输入端R,源极Ps3接电源VDD,漏极Pd3连接所述第四PMOS管的源极Ps4;所述第四PMOS管的栅极Pg4连接所述复位信号输入端R,漏极Pd4连接R1;所述第三NMOS管的栅极Ng3连接所述复位信号输入端R,源极Ns3连接所述第四NMOS管的漏极Nd4,漏极Nd3连接R1;所述第四NMOS管的栅极Ng4连接所述复位信号输入端R,源极Ns4接地。

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