[发明专利]一种发光角度可控的芯片级LED封装器件及封装工艺

权利要求书

1.一种发光角度可控的芯片级LED封装器件，其特征在于，包括底面设有电极的蓝宝石LED芯片，所述电极由正极和负极组成，所述正极与负极之间具有空隙，所述LED芯片的顶部和侧面设置有扩散层，所述扩散层顶部设置有荧光胶层，所述LED芯片、扩散层、荧光胶层的侧面设置有第一白墙胶层，所述LED芯片的蓝宝石折射率大于所述扩散层的折射率，所述扩散层的折射率大于所述荧光胶层的折射率。

2.根据权利要求1所述的发光角度可控的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述正极和负极之间的空隙中设置有第二白墙胶层，所述第二白墙胶层底部具有向远离所述电极方向延伸的延伸部，所述延伸部底面与所述第一白墙胶层底面平齐。

3.根据权利要求2所述的发光角度可控的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述第一白墙胶层与所述扩散层、荧光层相接触的表面形状为平面、抛物面或椭球面。

4.根据权利要求3所述的发光角度可控的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述延伸部的厚度为1-200μm。

5.根据权利要求4所述的发光角度可控的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述LED芯片为蓝宝石芯片，折射率为1.78，所述扩散层的折射率为1.3-1.7，所述荧光胶层的折射率为1.29-1.69。

6.根据权利要求5所述的发光角度可控的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述扩散层由扩散粉与封装胶混合制得，所述扩散层的厚度为1-1000μm。

7.根据权利要求6所述的发光角度可控的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述荧光胶层由稀土掺杂的无机荧光粉与封装胶混合制得，厚度为1-1000μm。

8.根据权利要求7所述的发光角度可控的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述扩散粉为甲基硅烷、苯基硅烷、聚硅氧烷中的至少一种；所述封装胶为硅胶、硅树脂、环氧树脂或聚氨酯；所述第一白墙胶层、第二白墙胶层的反射率不小于95％，材质为二氧化钛或硫酸钡。

9.一种发光角度可控的芯片级LED封装器件的封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1、固晶，将蓝宝石LED芯片通过固晶胶固定于耐高温材料表面；

S2、按照质量比0.1-1:1将稀土掺杂的无机荧光粉与封装胶混合配制荧光胶，按照质量比0.1-1:1将扩散粉与封装胶配制扩散层原料；

S3、在所述步骤S1得到的半成品上模压扩散层、在扩散层顶部模压荧光胶层；

S4、按照预设的第一白墙胶层的形状将多余的扩散层和荧光胶层去除；

S5、将所述步骤S4所得到的半成品，转移到另一耐高温材料表面，所述耐高温材料表面对应所述蓝宝石LED芯片的电极位置设置有高度为1-200μm的凸台；

S6：在所述步骤S5得到的半成品上模压第一白胶层和第二白胶层；

S7、烘烤固化。

10.根据权利要求9所述的发光角度可控的芯片级LED封装器件的封装工艺，其特征在于，所述步骤S3、S6中所述的模压工序，模压温度为80-150℃，模压压力为15-120kgf/m²，模压时间为2-10min；所述步骤S7中，所述烘烤固化的烘烤温度为100-150℃，烘烤时间为2-5h。