[发明专利]氧化镎靶件芯块制备工艺有效
申请号: | 201710007383.9 | 申请日: | 2017-01-05 |
公开(公告)号: | CN106847353B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 尹邦跃;屈哲昊;郑新海 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院 |
主分类号: | G21C21/02 | 分类号: | G21C21/02;G21C3/62;C04B35/51;C04B35/622 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102413 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 靶件 芯块 制备工艺 氧化镁粉末 装载量 高热导率 化学溶解 混合粉末 冷压成型 无压烧结 辐照 工艺流程 核材料 硬脂酸 初混 生坯 制备 生产成本 取出 燃料 | ||
1.一种氧化镎靶件芯块制备工艺,其特征在于该工艺包括以下步骤:
(一)根据需要取氧化镎粉末与氧化镁粉末作为靶件芯块原料,其中,氧化镁粉末的质量占二者总质量的1-10%;
(二)在所述氧化镎粉末中,取出占所述氧化镁粉末质量0.5-4倍的氧化镎粉末,将取出的氧化镎粉末与所述氧化镁粉末在三维运动混合机内混合4h以上,得到初混粉末;
(三)将剩余的氧化镎粉末和硬脂酸加入三维运动混合机内,使之与前述初混粉末继续混合2h以上,得到混合粉末;其中,硬脂酸的加入量占全部氧化镎粉末与氧化镁粉末总质量的0.2-0.8%;
(四)采用300~600MPa压力对所述混合粉末进行冷压成型,保压时间30-120s,制成靶件芯块生坯;
(五)在保护气氛条件下,采用无压烧结工艺对制得的靶件芯块生坯进行烧结,烧结温度为1550~1850℃,制得氧化镎靶件芯块。
2.如权利要求1所述的氧化镎靶件芯块制备工艺,其特征在于:所述保护气氛采用惰性气体保护或真空保护。
3.如权利要求1所述的氧化镎靶件芯块制备工艺,其特征在于:所述保护气氛为含体积百分比为5%H2的Ar还原性保护气氛。
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