[发明专利]一种阵列基板及其断线修复方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的断线修复方法，其特征在于，该方法包括：

当阵列基板中扫描线和/或数据线出现断线现象时，确定所述断线断裂的位置；

当所述断线为扫描线时，根据所述断裂的位置确定能接收到该扫描线信号的最后一个像素单元和与所述最后一个像素单元相邻且位于所述扫描线扫描方向上的相邻像素单元；

通过所述最后一个像素单元中的薄膜晶体管、像素电极和公共电极线，以及所述相邻像素单元中的公共电极线、像素单元和薄膜晶体管将所述断裂位置两端的扫描线进行电性连接，并分别切割所述最后一个像素单元和相邻像素单元中薄膜晶体管的源极与数据线的连接区域；

当所述断线为数据线时，根据所述断裂的位置确定未能接收到该数据线信号的第一个像素单元；

通过所述第一个像素单元中公共电极线、像素电极和薄膜晶体管将所述断裂位置两端的数据线进行电性连接，并切割所述第一个像素单元中的薄膜晶体管的栅极与扫描线的连接区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述公共电极线设置于相邻两条扫描线之间且与所述扫描线平行，所述像素电极与所述公共电极线在透光方向上具有重叠区域，所述公共电极线与所述数据线交叉的区域具有镂空区域；

通过所述最后一个像素单元中的薄膜晶体管、像素电极和公共电极线，以及所述相邻像素单元中的公共电极线、像素单元和薄膜晶体管将所述断裂位置两端的扫描线进行电性连接，并分别切割所述最后一个像素单元和相邻像素单元中的薄膜晶体管的源极与数据线的连接区域，包括：

分别切割所述最后一个像素单元和相邻像素单元中的薄膜晶体管的源极与数据线的连接区域；

分别熔接所述薄膜晶体管的漏极与栅极，以及所述像素单元内的公共电极线与像素电极具有重叠的区域；

将所述公共电极线沿所述公共电极线延伸的方向以及沿垂直于所述公共电极线延伸的方向进行切割，形成第一公共电极线和第二公共电极线，其中，所述第一公共电极线用于将该所述最后一个像素单元和相邻像素单元中熔接后的像素电极进行电性连接，所述第二公共电极线用于与其他像素单元内的公共电极线电性相连。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述公共电极线沿所述公共电极线延伸的方向以及沿垂直于所述公共电极线延伸的方向进行切割，包括：

将所述最后一个像素单元中公共电极线与远离所述相邻像素单元的数据线交叉的区域的镂空区域沿数据线延伸的方向进行第一次切割；

将所述第一个像素单元中公共电极线与远离所述最后一个像素单元的数据线交叉的区域的镂空区域沿数据线延伸的方向进行第二次切割；

将位于第一次切割和第二次切割之间的公共电极线沿所述公共电极线延伸的方向进行第三次切割。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述公共电极线设置于相邻两条扫描线之间且与所述扫描线平行，所述像素电极与所述公共电极线在透光方向上具有重叠区域，所述公共电极线与所述数据线交叉的区域具有镂空区域；

通过所述第一个像素单元中公共电极线、像素电极和薄膜晶体管将所述断裂位置两端的数据线进行电性连接，并断开所述第一个像素单元中的薄膜晶体管的栅极与扫描线的连接区域，包括：

切割所述第一个像素单元中的薄膜晶体管的栅极与扫描线的连接区域；

分别熔接所述薄膜晶体管的栅极与漏极、栅极与源极，以及所述第一个像素单元内的公共电极线与像素电极具有重叠的区域；

将所述公共电极线沿所述公共电极线延伸的方向以及沿垂直于所述公共电极线延伸的方向进行切割，形成第一公共电极线和第二公共电极线，其中，所述第一公共电极线用于将该第一个像素单元中熔接后的像素电极与数据线进行电性连接，所述第二公共电极线用于与其他像素单元内的公共电极线电性相连；

熔接所述数据线与所述第一公共电极线具有重叠的区域。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，将所述公共电极线沿所述公共电极线延伸的方向以及沿垂直于所述公共电极线延伸的方向进行切割，包括：

将所述第一个像素单元中的公共电极线与数据线交叉的区域的镂空区域沿所述数据线延伸的方向进行第一次切割；

将所述第一个像素单元中的公共电极线沿所述公共电极线延伸的方向进行第二次切割。