[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种薄膜晶体管的制造方法、阵列基板的制造方法和显示装置的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)被广泛应用于显示技术领域。常规的薄膜晶体管制造方法需要至少两次构图过程以形成至少两个不同的掩模来进行掺杂，以在源极区域和漏极区域中形成轻掺杂区和重掺杂区。

发明内容

本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管的制造方法、阵列基板的制造方法以及显示装置的制造方法。可以解决现有技术中的掺杂方法工艺复杂、参数控制难度较大、不良率发生较高的问题。

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的制造方法。

本发明的第一方面提供了一种薄膜晶体管的制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法包括：在衬底基板上形成半导体层，在所述半导体层上形成栅极，并在所述半导体层中限定位于所述栅极之下的沟道区域、位于所述沟道区域的第一侧的源极区域和位于所述沟道区域的与所述第一侧相对的第二侧的漏极区域，其中，所述方法还包括：

在所述栅极上形成遮蔽物，其中，所述遮蔽物在所述衬底基板上的垂直投影覆盖所述源极区域的第一源极部分和所述漏极区域的第一漏极部分；

利用所述遮蔽物作为掩模，对所述半导体层进行离子注入，以在所述第一源极部分和所述第一漏极部分中形成第一掺杂区，在未被所述遮蔽物垂直投影覆盖的所述源极区域的第二源极部分和所述漏极区域的第二漏极部分中形成第二掺杂区。

在一个实施例中，离子注入包括至少一次垂直离子注入、至少一次第一倾斜离子注入和至少一次第二倾斜离子注入，其中，所述第一倾斜离子注入的方向朝向所述沟道区域的所述第一侧倾斜，所述第二倾斜离子注入的方向朝向所述沟道区域的所述第二侧倾斜。

在一个实施例中，所述垂直离子注入为重掺杂离子注入，所述第一倾斜离子注入和所述第二倾斜离子注入为轻掺杂离子注入。

在一个实施例中，所述遮蔽物包括光刻胶。

在一个实施例中，在所述半导体层上形成栅极和在所述栅极上形成所述遮蔽物包括：

在所述半导体层上设置用于形成所述栅极的导电层；

在所述导电层上形成光刻胶基础层；

对所述光刻胶基础层进行构图，以形成所述遮蔽物；

利用所述遮蔽物作掩模，过蚀刻所述导电层使得所述导电层凹进到所述构图的光刻胶的内部，以形成所述栅极。

在一个实施例中，所述方法进一步包括：在形成所述栅极之前，在所述半导体层上形成栅极绝缘层。

在一个实施例中，所述方法进一步包括在形成所述栅极绝缘层时通过控制所述栅极绝缘层的致密性来调整阈值电压。

在一个实施例中，控制所述栅极绝缘层的致密性包括在形成所述栅极绝缘层时控制下列参数中的至少一者：工艺气体混合比例、形成膜的速度、反应温度、等离子体功率和膜厚度。

在一个实施例中，所述方法还包括：在形成所述半导体层之前，在所述衬底基板上形成缓冲层。

在一个实施例中，所述半导体层的材料包括多晶硅。

在一个实施例中，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均为n型掺杂。

在一个实施例中，掺杂离子包括磷。

在一个实施例中，所述第一掺杂区的磷的掺杂浓度的范围为1×10¹³-5×10¹³cm^-3，所述第二掺杂区的磷的掺杂浓度的范围为3×10¹⁴-9×10¹⁴cm^-3。

本发明的另一个目的在于提供一种阵列基板的制造方法。

本发明的第二方面提供了一种阵列基板的制造方法。所述阵列基板的制造方法包括如上所述的薄膜晶体管的制造方法。

本发明的再一个目的在于提供一种显示装置的制造方法。

本发明的第三方面提供了一种显示装置的制造方法。所述显示装置的制造方法包括如上所述的阵列基板的制造方法。