[发明专利]一种信号线的修复系统及修复方法有效

专利信息
申请号: 201710002733.2 申请日: 2017-01-03
公开(公告)号: CN106773177B 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 汪雯;王海涛;田牛 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1362
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 信号线 修复 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种信号线的修复系统,其特征在于,包括:用于形成导电的修复线的第一修复装置和用于形成绝缘层的第二修复装置,其中,

所述第一修复装置,包括:第一反应腔室以及分别与所述第一反应腔室连通的用于传输第一反应物的第一输入管道和用于传输反应后的第一废弃物的第一输出管道;其中,所述第一反应腔室具有贯穿所述第一反应腔室的第一中通孔;

所述第二修复装置,包括:第二反应腔室以及分别与所述第二反应腔室连通的用于传输第二反应物的第二输入管道和用于传输反应后的第二废弃物的第二输出管道;其中,所述第二反应腔室具有贯穿所述第二反应腔室的第二中通孔;

所述第一反应腔室位于所述第二反应腔室的上方,所述第一中通孔位于所述第二中通孔的正上方;或者,所述第一反应腔室位于所述第二反应腔室的下方,所述第一中通孔位于所述第二中通孔的正下方;还包括:用于使所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于开放状态或封闭状态且使所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于开放状态或封闭状态的开关,所述开关为可滑动至所述第一中通孔处或所述第二中通孔处的中空的滑件;其中,

所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于开放状态且所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于封闭状态时,所述第一反应腔室在所述第一中通孔处形成导电材料沉积在显示基板上形成修复线;

所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于封闭状态且所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于开放状态时,所述第二反应腔室在所述第二中通孔处形成绝缘材料沉积在显示基板上形成绝缘层。

2.如权利要求1所述的修复系统,其特征在于,还包括:位于所述第一反应腔室和所述第二反应腔室的上方用于发射穿过所述第一中通孔和所述第二中通孔的激光的激光器。

3.如权利要求1或2所述的修复系统,其特征在于,还包括:位于所述第一反应腔室和所述第二反应腔室的下方用于承载显示基板的机台;

所述机台内设置有加热部件。

4.一种信号线的修复方法,其特征在于,利用如权利要求1-3任一项所述的修复系统对信号线进行修复,包括:

利用第一修复装置形成第一修复线,对在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第一信号线进行修复;其中,所述第一信号线与所述第二信号线相互绝缘且所述第一信号线位于所述第二信号线的上方或下方;

利用第二修复装置形成覆盖所述第一修复线的绝缘层;

利用所述第一修复装置在所述绝缘层上形成第二修复线,对在所述第一信号线与所述第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第二信号线进行修复。

5.如权利要求4所述的修复方法,其特征在于,在利用第一修复装置形成第一修复线之前,还包括:

将在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生短路的所述第一信号线和所述第二信号线切断。

6.如权利要求4或5所述的修复方法,其特征在于,所述利用第一修复装置形成第一修复线,具体包括:

在加热部件加热到第一预设温度之后,将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处,利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气,利用激光器照射第一中通孔,在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第一修复线,反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。

7.如权利要求4或5所述的修复方法,其特征在于,所述利用第二修复装置形成覆盖所述第一修复线的绝缘层,具体包括:

在加热部件加热到第二预设温度之后,将滑件滑至第一反应腔室的第一中通孔处,利用第二输入管道向第二反应腔室输入氨气、氮气和硅烷,利用激光器照射第二中通孔,在第二中通孔处形成的氮化硅沉积在显示基板上形成绝缘层,反应后的第二废弃物通过第二输出管道排出。

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