[发明专利]一种质量厚度为400～2000μg/cm2 有效
| 申请号： | 201710001108.6 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN106868460B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 樊启文;胡跃明;王华;张榕 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 厚度 400 2000 cm base sup | ||
1.一种质量厚度为400～2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺，其特征在于，该工艺主要包括以下五个步骤：
(1)以铜箔为基衬，用聚焦重离子溅射法在该基衬上溅射沉积质量厚度为250μg/cm2的Ir沉积层，得到铜基Ir膜；
(2)将步骤(1)得到的铜基Ir膜放置在硝酸溶液表面，其中铜基面直接接触硝酸溶液，待铜基被硝酸腐蚀溶解完全后，得到与铜基衬分离的Ir沉积层；
(3)利用载玻片将步骤(2)得到的Ir沉积层转移至去离子水表面以清洗Ir沉积层表面的硝酸溶液；
(4)将上述清洗过的Ir沉积层利用靶框固定；
(5)以步骤(4)得到的Ir沉积层作为基衬，再次利用聚焦重离子溅射沉积法在该基衬上溅射沉积Ir，直至得到所需质量厚度的自支撑Ir靶；
步骤(1)中所述铜箔的厚度为15～20μm。
2.根据权利要求1所述的一种质量厚度为400～2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺，其特征在于，步骤(2)中所述硝酸溶液的质量分数为50％。
3.根据权利要求1所述的一种质量厚度为400～2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺，其特征在于，步骤(1)、步骤(5)中所述重离子溅射法所采用的工艺参数为溅射离子类型为Ar+，加速电压为-8500V，聚焦电压为-500V，放电电压为-800V，磁场电压为9.1V，放电气压为5.6Pa，真空室真空度为1×10-3Pa。
4.根据权利要求1所述的一种质量厚度为400～2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺，其特征在于，步骤(4)中所述的靶框为铜环。
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