[发明专利]用于系统级封装设备的与铜柱连接的裸管芯智能桥

权利要求书

1.一种系统级封装设备，包括：

在模制化合物中的半导体桥，所述半导体桥具有顶表面、底表面、在所述顶表面和所述底表面之间的第一侧、以及在所述顶表面和所述底表面之间的第二侧；

在横向上与所述半导体桥的所述第一侧相邻的第一多个互连；

在横向上与所述半导体桥的所述第二侧相邻的第二多个互连；

第一IC器件，电耦合至所述半导体桥的所述顶表面，并且所述第一IC器件电耦合至所述第一多个互连；

第二IC器件，电耦合至所述半导体桥的所述顶表面，并且所述第二IC器件电耦合至所述第二多个互连；

封盖材料，处于所述第一IC器件和所述第二IC器件之间并与所述第一IC器件和所述第二IC器件接触，所述封盖材料处于所述第一IC器件和所述半导体桥的所述顶表面之间，并且所述封盖材料处于所述第二IC器件和所述半导体桥的所述顶表面之间；以及

所述半导体桥的所述底表面下方的第一多个凸块，所述第一多个凸块在所述半导体桥的所述第一侧和所述第二侧内；

所述第一多个互连下方的第二多个凸块；以及

所述第二多个互连下方的第三多个凸块。

2.根据权利要求1所述的系统级封装设备，其中，所述第一多个互连在第一互连封装中，并且所述第二多个互连在第二互连封装中。

3.根据权利要求1所述的系统级封装设备，其中，所述第一多个互连是第一多个过孔条，并且所述第二多个互连是第二多个过孔条。

4.根据权利要求1所述的系统级封装设备，其中，所述模制化合物在所述半导体桥的所述底表面上。

5.根据权利要求1所述的系统级封装设备，还包括：

第三IC器件，电耦合至所述半导体桥的所述顶表面，其中，所述第三IC器件处于所述第一IC器件和所述第二IC器件之间。

6.根据权利要求5所述的系统级封装设备，其中，所述第三IC器件是无源器件。

7.根据权利要求1所述的系统级封装设备，其中，所述第一IC器件通过第一多个柱电耦合至所述半导体桥的所述顶表面并且电耦合至所述第一多个互连，并且其中，所述第二IC器件通过第二多个柱电耦合至所述半导体桥的所述顶表面并且电耦合至所述第二多个互连。

8.一种系统级封装设备，包括：

模制化合物中的半导体桥，所述半导体桥具有顶表面、底表面、在所述顶表面和所述底表面之间的第一侧、以及在所述顶表面和所述底表面之间的第二侧；

在横向上与所述半导体桥的所述第一侧相邻的第一互连；

在横向上与所述半导体桥的所述第二侧相邻的第二互连；

第一IC器件，电耦合至所述半导体桥的所述顶表面，并且所述第一IC器件电耦合至所述第一互连；

第二IC器件，电耦合至所述半导体桥的所述顶表面，并且所述第二IC器件电耦合至所述第二互连；

封盖材料，处于所述第一IC器件和所述第二IC器件之间并与所述第一IC器件和所述第二IC器件接触，所述封盖材料处于所述第一IC器件和所述半导体桥的所述顶表面之间，并且所述封盖材料处于所述第二IC器件和所述半导体桥的所述顶表面之间；以及

所述半导体桥的所述底表面下方的第一凸块，所述第一凸块在所述半导体桥的所述第一侧和所述第二侧内；

所述第一互连下方的第二凸块；以及

所述第二互连下方的第三凸块。

9.根据权利要求8所述的系统级封装设备，其中，所述第一互连在第一互连封装中，并且所述第二互连在第二互连封装中。

10.根据权利要求8所述的系统级封装设备，其中，所述第一互连是第一过孔条，并且所述第二互连是第二过孔条。

11.根据权利要求8所述的系统级封装设备，其中，所述模制化合物在所述半导体桥的所述底表面上。