[发明专利]微激光二极管转移方法和微激光二极管显示装置制造方法有效

专利信息
申请号: 201680090653.0 申请日: 2016-12-05
公开(公告)号: CN109906518B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 邹泉波;王喆 申请(专利权)人: 歌尔股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 王迎;袁文婷
地址: 261031 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 激光二极管 转移 方法 显示装置 制造
【说明书】:

本发明公开了一种微激光二极管转移方法和制造方法。该转移方法包括:在接收衬底上形成结合层,其中,第一类型电极连接到所述结合层;将承载衬底上的微激光二极管的第一侧与所述接合层接触,其中,所述承载衬底是激光透明的;以及从承载衬底侧用激光照射所选择的微激光二极管,以从承载衬底剥离所选择的微激光二极管。

技术领域

本发明涉及微激光二极管,更具体地,涉及一种用于转移微激光二极管的方法和一种用于制造微激光二极管显示装置的方法。

背景技术

近年来,激光二极管(LD)的发展迅速。通常,激光二极管或激光二极管阵列用作光通信或激光打印机的光源。激光二极管可以具有垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,所述VCSEL结构包括下接触层、下布拉格反射器层、下间隔层、有源层、上间隔层、上布拉格反射器层和上接触层。

在现有技术中,微激光二极管被单独地转移到接收衬底上。微激光二极管的公共电极安装在接收衬底的底部。激光二极管的上电极通过导线接合到接收衬底上。虽然由于激光二极管的小型化已经可以制造出单个微激光二极管,但是传统的组装方法仍然用于微激光二极管的转移。这些方法不适于微激光二极管的应用。此外,它们也不适于使用微激光二极管的显示装置,特别是高清 (HD)显示装置。

美国专利申请US 2016/0308333 A1公开了一种激光二极管阵列、激光二极管阵列制造方法、打印机和光通信装置,该专利申请在此全部引入作为参考。

微发光二极管可以用作显示光源。但是,微发光二极管不适于投影显示。使用微发光二极管的投影显示设备需要复杂的光学聚焦系统,这限制了其应用。

美国专利US9,367,094 B2公开了一种显示模块和系统应用,该专利在此全部引入作为参考。

因此,在现有技术中需要提出一种新的使用微激光二极管的显示装置的方案以解决现有技术中的至少一个技术问题。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种使用微激光二极管的显示装置的新技术方案。

根据本发明的第一方面,提供了一种用于转移微激光二极管的方法,包括:在接收衬底上形成接合层,其中,第一类型电极连接到所述接合层;将承载衬底上的微激光二极管的第一侧与所述接合层接触,其中,所述承载衬底是激光透明的;以及从承载衬底侧用激光照射所选择的微激光二极管,以从承载衬底剥离所选择的微激光二极管。

可选地或另选地,所述方法还包括:将电介质填充材料填充在微激光二极管之间,以形成电介质填充层;以及形成与微激光二极管的第二侧连接的第二类型电极。

可选地或另选地,形成第二类型电极还包括:在微激光二极管和电介质填充层上形成电极层;以及对电极层进行图案化以暴露微激光二极管。

可选地或另选地,在剥离期间,通过重力、接合层的粘附力、施加到微激光二极管的静电力和施加到微激光二极管的电磁力中的至少一个,将微激光二极管保持在接收衬底上。

可选地或另选地,所述微激光二极管具有垂直腔面发射激光器结构,所述垂直腔面发射激光器结构包括:下接触层、下布拉格反射器层、下间隔层、有源层、上间隔层、上布拉格反射器层和上接触层。

可选地或另选地,第二类型电极的至少一部分被形成在微激光二极管的侧面。

可选地或另选地,微激光二极管包括红色、蓝色和绿色微激光二极管。

可选地或另选地,微激光二极管的直径小于100微米。

可选地或另选地,所述第一类型电极是阳极,所述第二类型电极是阴极。

根据本发明的第二方面,提供了一种用于制造微激光二极管显示装置的方法,包括使用根据本发明的方法将微激光二极管转移到微激光二极管显示装置的接收衬底。

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