[发明专利]微激光二极管转移方法和微激光二极管显示装置制造方法

权利要求书

1.一种用于转移微激光二极管的方法，所述方法包括：

在接收衬底上形成第一类型电极，其中，在所述第一类型电极上设置有接合层；

将承载衬底上的微激光二极管的第一侧与所述接合层接触，其中，所述承载衬底是激光透明的；

从承载衬底侧用激光照射所选择的微激光二极管，以从承载衬底剥离所选择的微激光二极管；

将电介质填充材料填充在微激光二极管之间，以形成电介质填充层，并通过回蚀，使电介质填充层低于所述微激光二极管的上表面；

在微激光二极管和电介质填充层上形成电极层；以及

对电极层进行图案化以暴露微激光二极管，图案化后的电极层为第二类型电极；

其中，所述第二类型电极的至少一部分被形成在微激光二极管的侧面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在剥离期间，通过重力、接合层的粘附力、施加到微激光二极管的静电力和施加到微激光二极管的电磁力中的至少一个，将微激光二极管保持在接收衬底上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述微激光二极管具有垂直腔面发射激光器结构，所述垂直腔面发射激光器结构包括：下接触层、下布拉格反射器层、下间隔层、有源层、上间隔层、上布拉格反射器层和上接触层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，微激光二极管包括红色、蓝色和绿色微激光二极管。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，微激光二极管的直径小于100微米。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一类型电极是阳极，所述第二类型电极是阴极。

7.一种用于制造微激光二极管显示装置的方法，所述方法包括使用根据权利要求1-6中的任何一项所述的方法将微激光二极管转移到微激光二极管显示装置的接收衬底。