[发明专利]用于研磨含硅固体的方法有效
| 申请号: | 201680090426.8 | 申请日: | 2016-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN109906201B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
| 发明(设计)人: | 埃克哈德·哈内尔特;米夏埃尔·弗里克 | 申请(专利权)人: | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号: | C01B33/02 | 分类号: | C01B33/02;B02C17/00;B22F9/00;C09C1/28;H01M4/134 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张英 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 研磨 固体 方法 | ||
1.一种用于生产硅颗粒的方法,通过在喷射磨机中使用一种或多种气体研磨包含单质硅相的含硅固体,所述气体包含分压≥0.3巴并且包含氧气的反应性气体
并且
其中所述反应性气体具有≥50℃的温度。
2.根据权利要求1所述的用于生产硅颗粒的方法,其特征在于,所述气体包含分压为0.4至100巴的反应性气体。
3.根据权利要求1或2所述的用于生产硅颗粒的方法,其特征在于,所述反应性气体具有80至800℃的温度。
4.根据权利要求1或2所述的用于生产硅颗粒的方法,其特征在于,包含所述反应性气体的所述气体具有1至200巴的压力。
5.根据权利要求1或2所述的用于生产硅颗粒的方法,其特征在于,所述气体包含空气作为所述反应性气体并具有≥1.5巴的压力。
6.根据权利要求1或2所述的用于生产硅颗粒的方法,其特征在于,所述反应性气体在1巴的压力下具有≤300℃的沸点。
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