[发明专利]高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池

说明书

本发明是一种太阳能电池的制造方法，其特征是具有：准备在至少一方的主表面上具有通过烧成电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100℃的半导体硅基板的步骤，与将前述半导体硅基板在100℃以上450℃以下进行退火处理的步骤。由此，提供一种可以抑制只在室温·大气中放置着就使太阳能电池的输出降低这种劣化现象的制造太阳能电池的方法。

技术领域

本发明是有关太阳能电池的制造方法。

背景技术

将使用单晶N型硅基板的一般的高光电变换效率太阳能电池的从受光面侧所见的概观显示于图1。此外，图2显示该太阳能电池的剖面构造的模式图。该太阳能电池100，是在N型基板110上，作为受光面的集电电极而具有多个被称作指状电极121的百～数十μm幅宽的电极。邻接的指状电极们的间隔一般为1～3mm左右。此外，具有2～4个供连接太阳能电池胞用的作为集电电极的汇流条(bus bar)电极122。作为该等电极(指状电极121、汇流条电极122)的形成方法，可列举蒸镀法、溅镀法等，但是从成本方面而言，将有机结合剂掺混银等金属微粒子的金属膏、采用网版等来印刷，于数百度下进行热处理而与基板黏接的方法被广泛利用。太阳能电池100的电极以外的部分是由氮化硅膜等反射防止膜141覆盖着。基板的表面(受光面)是形成与基板的导电型相反的P型扩散层112。在背面侧也形成指状电极131，电极以外的部分是由氮化硅膜等膜(背面保护膜)151覆盖着。N型基板110的背面的最表层是形成与基板相同的导电型的N型扩散层113。

此外，高光电变换效率的太阳能电池构造进而具有背面电极型太阳能电池。图3显示作为该太阳能电池、使用N型基板的场合的剖面构造的模式图。在太阳能电池300，N型基板310的受光面是由反射防止膜341覆盖着。在太阳能电池300的背面交互地形成N电极(N型指状电极)335与P电极(P型指状电极)334。在N型基板310，仅在N电极335正下方形成N型扩散层313，但在这以外的大部分领域则形成P型扩散层312，电极以外的部分是由氮化硅膜等膜(背面保护膜)351覆盖着。这样的太阳能电池300，由于在受光面并无电极，入射光不受阻隔而进入基板内，因而其光电变换效率是高于图1及图2的构造。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-95774号公报

非专利文献

非专利文献1：A.A.Istratov et al.,Appl.Phys.Lett.,Vol.71,No.16(1997)2349-2351

发明内容

发明所要解决的问题

利用具有上述之类的构造的太阳能电池，来达成高效率化。然而，近年，太阳能电池高效率化的另一方面，经时的变换效率降低现象明显起来。亦即，将太阳能电池只在室温下放置数日～数周变换效率就降低的现象(在以下的本发明说明，将这现象简单称为“劣化”)。于是，有必要作成太阳能电池不劣化之类的对策。

本发明是有鉴于上述情况所作成的，其目的在于提供一种可以抑制只在室温·大气中放置着就使太阳能电池的输出降低这种劣化现象的制造太阳能电池的方法。

供解决问题的手段

本发明是为了解决上述问题而作成的，是一种太阳能电池的制造方法，其特征是具有：准备在至少一方的主表面上具有通过烧成电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100℃的半导体硅基板的步骤，与将前述半导体硅基板在100℃以上450℃以下进行退火处理的步骤。

通过对经过电极烧成的基板，在这样的温度下进行低温退火处理，可以制造只在室温·大气中放置着就使太阳能电池的输出降低这种劣化现象会被抑制的太阳能电池。

该场合，最好将前述退火处理进行0.5分钟以上。