[发明专利]高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，具有：

准备在至少一方的主表面上具有通过烧成含有银粉的电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100℃的半导体硅基板的步骤，以及

将前述半导体硅基板在100℃以上450℃以下进行退火处理的步骤，

其中，在前述电极前驱体的烧成，将从最高温度到450℃为止的降温速度设为50℃/秒以上，

在准备前述半导体硅基板的步骤之后，在前述半导体硅基板的主表面上，将在100℃以上450℃以下的范围内会硬化的低温硬化型导电材料图案状地涂布，

其后，在进行前述退火处理时，同时地进行前述低温硬化型导电材料的硬化而形成导电体部。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，

在准备前述半导体硅基板的步骤之后，在前述半导体硅基板的主表面上，将在100℃以上450℃以下的范围内会硬化的绝缘材料图案状地涂布，

其后，在进行前述退火处理时，同时地进行前述绝缘材料的硬化而形成绝缘膜。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，

前述退火处理进行0.5分钟以上。

4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述电极前驱体的烧成的最高温度设为500℃以上1100℃以下。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述电极前驱体的烧成的最高温度设为500℃以上1100℃以下。

6.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述半导体硅基板作成N型半导体硅基板。

7.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述半导体硅基板作成N型半导体硅基板。

8.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述半导体硅基板作成N型半导体硅基板。

9.根据权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述半导体硅基板作成N型半导体硅基板。

10.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，具有：

准备在至少一方的主表面上具有通过烧成含有银粉的电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100℃的半导体硅基板的步骤，以及

将前述半导体硅基板在100℃以上450℃以下进行退火处理的步骤，

其中，在前述电极前驱体的烧成，将从最高温度到450℃为止的降温速度设为50℃/秒以上，

在准备前述半导体硅基板的步骤之后，在前述半导体硅基板的主表面上，将在100℃以上450℃以下的范围内会硬化的绝缘材料图案状地涂布，

其后，在进行前述退火处理时，同时地进行前述绝缘材料的硬化而形成绝缘膜。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其中，

前述退火处理进行0.5分钟以上。

12.根据权利要求10或11所述的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述电极前驱体的烧成的最高温度设为500℃以上1100℃以下。

13.根据权利要求10或11所述的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述半导体硅基板作成N型半导体硅基板。

14.根据权利要求12所述的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述半导体硅基板作成N型半导体硅基板。