[发明专利]减小的线数量的加热器阵列块

说明书

热系统包括多个热元件。在一种形式中，热元件中的每一个限定了电阻器和限流装置。多个热元件具有并联热元件的至少第一子集和并联热元件的至少第二子集。系统还具有连接至多个热元件的多个电源线。电源线成对配置用于将电能提供至并联设置连接的多个热元件的子集。电源线对中的每一个与子集中相邻并联设置的热元件共享共用电源线。此外，在子集中相邻并联设置的热元件的每个限流装置是相对的。并联热元件的第一和第二子集共享共用电源线。

技术领域

本公开内容涉及加热器系统和相关控制，特别是能够在操作期间向加热目标传递精准加热分布的加热器系统，以便补偿热损失和/或其他偏差，在半导体加工应用中作为卡盘或基座使用。

背景技术

本部分中的陈述内容仅仅提供关于本公开内容的背景信息并不构成现有技术。

在半导体加工技术中，例如，使用卡盘或基座来保持衬底(或晶元)并在加工期间向衬底提供均匀温度分布。参见附图1，示出了用于静电卡盘的支撑组件10，该支撑组件包括具有嵌入电极14的静电卡盘12，以及通过粘合剂层18粘结至静电卡盘12的加热板或目标16，粘合剂层18典型为有机硅粘合剂。加热器20固定至加热板或目标16，作为实例，加热器可以为蚀刻箔加热器。这种加热器组件再次通过粘合剂层24粘结至冷却板22，其中粘合剂层典型为有机硅粘合剂。衬底26设置在静电卡盘12上，并且电极14连接至电压源(未示出)使得生成静电能，静电卡盘12将衬底26保持在适当的位置上。射频(RF)或微波电源(未示出)可以耦接至围绕支承组件10的等离子反应器腔室中的静电卡盘12。因此，加热器20在腔室内等离子半导体加工步骤期间提供所需热量来保持衬底26上的温度，加工步骤包括等离子增强膜沉积或蚀刻。

在衬底26的全部加工阶段期间，严格控制静电卡盘12的温度分布是重要的以便减小衬底26正在蚀刻中的加工偏差，同时减少总加工时间。除了其他应用，用于改进衬底上的均温度匀性的改进装置和方法在半导体加工技术中是一直期望的。

发明内容

热系统包括多个热元件。热元件中的每一个限定了电阻器和限流装置。多个热元件具有并联热元件的至少第一子集和并联热元件的至少第二子集。系统还具有连接至多个热元件的多个电源线。电源线成对配置用于将电能提供至多个并联设置连接的热元件的子集。电源线对中的每一个与子集中相邻并联设置的热元件共享共用电源线。此外，在子集中相邻并联设置的热元件的每个限流装置是相对的。并联热元件的第一和第二子集共享共用电源线。

加热器系统包括加热目标和固定至加热目标的加热器。加热器具有多个热元件。热元件中的每一个限定了电阻器和限流装置。多个热元件具有并联热元件的至少第一子集和并联热元件的至少第二子集。系统还具有连接至多个热元件的多个电源线。电源线成对配置用于将电能提供至多个并联设置连接的热元件的子集。电源线对中的每一个与子集中相邻并联设置的热元件共享共用电源线。此外，在子集中相邻并联设置的热元件的每个限流装置是相对的。并联热元件的第一和第二子集共享共用电源线。

进一步应用领域将根据本文中的描述变得显而易见，应当理解的是描述和具体实例仅仅是用于描述性目的并不用于限定本公开内容的范围。

附图说明

为了本公开内容可以得到良好的理解，将参见附图，通过实例以多种形式进行描述，其中：

附图1为现有技术中的静电卡盘的放大侧视图；

附图2A为具有调谐层并且根据本公开内容的一种原理形式构造的加热器的部分侧视图；

附图2B为另一种形式的并且根据本公开内容的原理构造的具有调谐层的加热器或调谐加热器的分解侧视图；

附图2C为根据本公开内容构造的加热器的立体分解视图，其示出了用于基底加热器的四(4)个示例性区域和用于调谐加热器的十八(18)个区域；