[发明专利]晶片逐点分析和数据呈现有效
申请号: | 201680071010.1 | 申请日: | 2016-11-09 |
公开(公告)号: | CN108369916B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 德莫特·坎特维尔;赛斯恩德拉·甘塔萨拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 分析 数据 呈现 | ||
1.一种方法,包括以下步骤:
接收与第一工艺配方相关联的多个配方参数的第一值;
接收使用所述第一工艺配方来处理的第一晶片上的多个位置的第一多个测量;
接收与第二工艺配方相关联的所述多个配方参数的第二值;
接收使用所述第二工艺配方来处理的第二晶片上的所述多个位置的第二多个测量;
通过处理装置,使所述多个配方参数的所述第一值与所述第一多个测量关联,并且使所述多个配方参数的所述第二值与所述第二多个测量关联;
通过所述处理装置,使用所述多个配方参数的所述第一值、所述多个配方参数的所述第二值、所述第一多个测量和所述第二多个测量来运算第一多个灵敏度值,所述多个灵敏度值中的每一个对应于所述多个位置中的一个并且表示对于所述多个配方参数中的一个的灵敏度;和通过所述处理装置,提供晶片的图形表示,所述图形表示显示所述多个位置的所述第一多个灵敏度值的至少子组。
2.如权利要求1所述的方法,其中运算所述第一多个灵敏度值包括以下步骤:基于所述多个配方参数的所述第一值、所述多个配方参数的所述第二值、所述第一多个测量和所述第二多个测量,执行最小二乘拟合分析。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述图形表示是三维等高线图,并且其中所述等高线图中的高度表示对于所述多个配方参数中的一个的灵敏度。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述图形表示是二维等高线图,其中所述等高线图包括表示灵敏度值的等高线。
5.如权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
接收识别所述多个配方参数的配方参数的指令;和
提供更新的图形表示,所述更新的图形表示显示与所述配方参数相关联的多个灵敏度值。
6.如权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
接收第三晶片的目标分布,其中所述目标分布基于所述第三晶片的目标厚度;
基于所述第一多个灵敏度值来分析所述目标分布;和
基于所述分析,确定与所述目标分布相关联的新工艺配方。
7.如权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
接收第二多个灵敏度值,其中所述第二多个灵敏度值与目标腔室相关联;
执行所述第一多个灵敏度值和所述第二多个灵敏度值的分析;和
基于所述分析,更改所述多个配方参数的所述第二值,其中所述多个配方参数的所述第二值与所述目标腔室相关联。
8.一种系统,包括:
存储器,用于储存多个配方参数、配方值和测量;和
处理装置,操作耦合至所述存储器,所述处理装置用于:
接收与第一工艺配方相关联的多个配方参数的第一值;
接收使用所述第一工艺配方来处理的第一晶片上的多个位置的第一多个测量;
接收与第二工艺配方相关联的所述多个配方参数的第二值;
接收使用所述第二工艺配方来处理的第二晶片上的所述多个位置的第二多个测量;
使所述多个配方参数的所述第一值与所述第一多个测量关联,并且使所述多个配方参数的所述第二值与所述第二多个测量关联;
使用所述多个配方参数的所述第一值、所述多个配方参数的所述第二值、所述第一多个测量和所述第二多个测量来运算第一多个灵敏度值,所述多个灵敏度值中的每一个对应于所述多个位置中的一个并且表示对于所述多个配方参数中的一个的灵敏度;和
提供晶片的图形表示,所述图形表示显示所述多个位置的所述第一多个灵敏度值的至少子组。
9.如权利要求8所述的系统,其中为了运算所述第一多个灵敏度值,所述处理装置进一步用于:基于所述多个配方参数的所述第一值、所述多个配方参数的所述第二值、所述第一多个测量和所述第二多个测量,执行最小二乘拟合分析。
10.如权利要求8所述的系统,其中所述图形表示是三维等高线图,并且其中所述等高线图中的高度表示对于所述多个配方参数中的一个的灵敏度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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