[发明专利]多电平脉冲发生器及相关设备和方法

权利要求书

1.一种超声设备，包括：

在基底上的至少一个超声换能器；以及

耦接至所述至少一个超声换能器的在所述基底上的多电平脉冲发生器；所述多电平脉冲发生器包括：

多个输入端子，其被配置成接收相应的输入电压；

输出端子，其被配置成提供输出电压；以及

在所述多个输入端子中的第一输入端子与所述输出端子之间的信号路径，所述信号路径包括耦接至第一二极管的第一晶体管和并联的耦接至第二二极管的第二晶体管，

其中，所述第一晶体管为pMOS晶体管或nMOS晶体管，并且如果所述第一晶体管为pMOS晶体管则所述第二晶体管为nMOS晶体管，或者如果所述第一晶体管为nMOS晶体管则所述第二晶体管为pMOS晶体管。

2.根据权利要求1所述的超声设备，还包括控制器，所述控制器被配置成控制与所述超声换能器相关联的输出电容的充电和放电，以便提供电荷再循环。

3.根据权利要求1所述的超声设备，其中，所述多电平脉冲发生器包括在所述多个输入端子的各个输入端子与所述输出端子之间的多个信号路径，每个信号路径包括耦接至第一二极管的pMOS或nMOS晶体管和并联的耦接至第二二极管的pMOS或nMOS晶体管，其中，当耦接至所述第一二极管的所述pMOS或nMOS晶体管为pMOS晶体管时耦接至所述第二二极管的所述pMOS或nMOS晶体管为nMOS晶体管，并且其中，当耦接至所述第一二极管的所述pMOS或nMOS晶体管为nMOS晶体管时耦接至所述第二二极管的所述pMOS或nMOS晶体管为pMOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的超声设备，其中，所述输出电压等于预定输入电压。

5.根据权利要求1所述的超声设备，还包括耦接至所述输出端子的电容器。

6.根据权利要求1所述的超声设备，还包括耦接至所述输出端子的电阻器。

7.根据权利要求1所述的超声设备，其中，所述第一晶体管是pMOS并且所述第二晶体管是nMOS。

8.根据权利要求1所述的超声设备，其中，所述第一二极管具有连接至所述第一晶体管的阳极和连接至所述输出端子的阴极。

9.根据权利要求1所述的超声设备，其中，所述第二二极管具有连接至所述第二晶体管的阴极和连接至所述输出端子的阳极。

10.一种多电平脉冲发生器，被配置成耦接至超声换能器，并且包括：

多个输入端子，其被配置成接收相应的输入电压；

输出端子，其被配置成提供输出电压；

在所述多个输入端子中的第一输入端子与所述输出端子之间的信号路径，所述信号路径包括耦接至第一二极管的第一晶体管和并联的耦接至第二二极管的第二晶体管，其中，所述第一晶体管为pMOS晶体管或nMOS晶体管，并且如果所述第一晶体管为pMOS晶体管则所述第二晶体管为nMOS晶体管，或者如果所述第一晶体管为nMOS晶体管则所述第二晶体管为pMOS晶体管；以及

耦接至所述输出端子的电容器。

11.根据权利要求10所述的多电平脉冲发生器，还包括控制器，所述控制器被配置成控制耦接至所述输出端子的所述电容器的充电和放电，以便提供电荷再循环。

12.根据权利要求10所述的多电平脉冲发生器，包括在所述多个输入端子中的各个输入端子与所述输出端子之间的多个信号路径，每个信号路径包括耦接至第一二极管的pMOS或nMOS晶体管和并联的耦接至第二二极管的pMOS或nMOS晶体管，其中，当耦接至所述第一二极管的所述pMOS或nMOS晶体管为pMOS晶体时，耦接至所述第二二极管的所述pMOS或nMOS晶体管为nMOS晶体管，并且其中，当耦接至所述第一二极管的所述pMOS或nMOS晶体管为nMOS晶体时，耦接至所述第二二极管的所述pMOS或nMOS晶体管为pMOS晶体管。