[发明专利]用于薄无机膜的产生的方法有效
| 申请号: | 201680068490.6 | 申请日: | 2016-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN108368606B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
| 发明(设计)人: | T·阿德尔曼;D·勒夫勒;C·林伯格;F·阿贝尔斯;H·威尔默;M·吉尔;M·格里菲思;S·巴里 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C07F13/00;C07F15/04;C07F15/06;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘金辉;林柏楠 |
| 地址: | 德国莱茵河*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 无机 产生 方法 | ||
1.一种包含使通式(I)的化合物变成气态或气溶胶态并将通式(I)的化合物自气态或气溶胶态沉积至固体底材上的方法,
Lm----M-Xn (I)
其中
R1、R2、R3与R4彼此独立地为烷基基团、芳基基团或三烷基硅基基团,
M为Mn、Ni或Co,
X为通过氮或磷原子配位M的配位基或为脂肪族烃、烷醇化物、氰化物、溴化物、CO或NO,其中至少一个X为NO、CO或三烷基膦,
m为1、2或3且
n为1-4,
其中通式(I)的化合物的分子量至多为1000g/mol。
2.根据权利要求1的方法,其中n为至少2。
3.根据权利要求1的方法,其中X与n为经挑选以将M的价电子的数目调整成偶数。
4.根据权利要求2的方法,其中X与n为经挑选以将M的价电子的数目调整成偶数。
5.根据权利要求1至4中任一项的方法,其中R1、R2、R3与R4为甲基或乙基。
6.根据权利要求1至4中任一项的方法,其中至少一个X为三烷基膦。
7.根据权利要求5的方法,其中至少一个X为三烷基膦。
8.根据权利要求1至4中任一项的方法,其中至少一个X为CO。
9.根据权利要求5的方法,其中至少一个X为CO。
10.根据权利要求1至4中任一项的方法,其中M为Co且至少一个X为NO。
11.根据权利要求5的方法,其中M为Co且至少一个X为NO。
12.根据权利要求1至4中任一项的方法,其中至少一个X为通过至少二个中性或阴离子性氮原子配位M的配位基。
13.根据权利要求5的方法,其中至少一个X为通过至少二个中性或阴离子性氮原子配位M的配位基。
14.根据权利要求1至4中任一项的方法,其中至少一个X为通过磷原子配位的配位基。
15.根据权利要求5的方法,其中至少一个X为通过磷原子配位的配位基。
16.根据权利要求1至4中任一项的方法,其中通式(I)的化合物被化学吸附在该固体底材的表面上。
17.根据权利要求15的方法,其中通式(I)的化合物被化学吸附在该固体底材的表面上。
18.根据权利要求1至4中任一项的方法,其中经沉积的通式(I)的化合物为通过移除所有的配位基L与X来分解。
19.根据权利要求17的方法,其中经沉积的通式(I)的化合物为通过移除所有的配位基L与X来分解。
20.根据权利要求18的方法,其中经沉积的通式(I)的化合物被暴露至还原剂。
21.根据权利要求19的方法,其中经沉积的通式(I)的化合物被暴露至还原剂。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





