[发明专利]用于处理具有多晶面层的半导体晶片的方法

说明书

一种处理半导体晶片的方法包含在所述半导体晶片上沉积硅层。将第一浆液施加到所述半导体晶片且对所述硅层进行抛光以使所述硅层平滑。将第二浆液施加到所述半导体晶片。所述第二浆液包含比所述第一浆液更大量的腐蚀剂。

相关申请案的交叉参考

本申请案主张2015年9月30日提出申请的第62/235,197号美国临时申请案的优先权，所述美国临时申请案的揭示内容特此以全文引用方式并入。

技术领域

本发明大体来说涉及处理半导体晶片，且更特定来说涉及用于处理半导体晶片(包含对半导体晶片的表面进行抛光)的系统及方法。

背景技术

半导体晶片用于生产例如集成电路(IC)芯片、绝缘体上硅(SOI)晶片及射频SOI(RF-SOI)晶片等半导体装置。通常，半导体晶片包含可导致形成高导电率反转累积层的高电阻率衬底，这阻碍半导体装置的性能。

在一些工艺中，将例如多晶硅层等层沉积到半导体晶片的表面上以提供高密度电荷陷阱，且借此抑制高导电率反转累积层的形成。举例来说，可将所述层沉积到形成高电阻率衬底与埋入式氧化物(BOX)之间的界面的表面上以阻碍电荷跨越所述界面移动。一旦被沉积，所述层便往往在半导体晶片上形成粗糙表面。因此，需要将半导体晶片的粗糙表面进一步处理成具有满足用于生产半导体装置(例如IC芯片、SOI晶片及RF-SOI晶片)的严格参数的特性。

通常，将半导体晶片的表面抛光以改善包含多晶层粗糙度及微缺陷的表面特性。一种对半导体晶片进行抛光的方式称为化学机械抛光(CMP)。CMP工艺通常使用圆形抛光垫。使所述垫旋转，且随着将浆液施加到所述垫，使晶片接触并压靠所述垫。然而，晶片可能会由于发生翘曲或弯曲而不均匀地接触所述垫，所述翘曲或弯曲可能是在将多晶层沉积于晶片上时形成。此种不均匀接触影响抛光后的表面特性，这可致使晶片不尽人意或需要额外处理。举例来说，由于所述垫与晶片之间的不均匀接触，晶片可以高速率渐缩。

有时，在CMP工艺中所使用的浆液包含腐蚀剂。然而，所述腐蚀剂可负面地影响晶片的表面特性。举例来说，所述腐蚀剂可使多晶层的晶粒边界形成饰纹，这会致使晶片不尽人意或需要额外处理。带饰纹的晶粒边界可在进一步处理期间(例如在接合半导体晶片期间)形成影响半导体晶片的完整性的缺陷。

因此，需要一种增加垫接触均匀性且减小腐蚀剂的损坏影响的用以对半导体晶片进行抛光的方法。

此背景技术部分打算为读者介绍可与下文所描述及/或主张的本发明的各个方面相关的各个技术方面。据信，本论述有助于为读者提供背景信息，以促进对本发明的各个方面的较佳理解。因此，应理解，这些陈述应以此角度来阅读，而非作为对现有技术的认可。

发明内容

在一个方面中，一种处理半导体晶片的方法包含在所述半导体晶片上沉积硅层。将第一浆液施加到所述半导体晶片且对所述硅层进行抛光以使所述硅层平滑。将第二浆液施加到所述半导体晶片。所述第二浆液包含比所述第一浆液更大量的腐蚀剂。

在另一方面中，一种处理半导体晶片的方法包含在所述半导体晶片上沉积硅层。将所述半导体晶片定位于第一晶片抛光设备上。在所述半导体晶片定位于所述第一晶片抛光设备上时对所述硅层进行抛光，使得所述硅层的一部分被移除。将所述半导体晶片定位于第二晶片抛光设备上。在所述半导体晶片定位于所述第二晶片抛光设备上时对所述硅层进行抛光，使得所述硅层的一部分被移除。

在另一方面中，一种处理半导体晶片的方法包含在所述半导体晶片上沉积硅层。清洁所述半导体晶片以促进所述硅层上的生长。在所述半导体晶片被清洁之后，对所述半导体晶片进行抛光以使所述硅层平滑。