[发明专利]一种用于形成集成电路裸片的方法和系统有效
| 申请号: | 201680062711.9 | 申请日: | 2016-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN108352337B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
| 发明(设计)人: | A·M·加布雷希;M·W·波尔特 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R1/073 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
| 地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 形成 集成电路 方法 系统 | ||
在所描述实例中,一种探针卡(100)包含机械支撑固定装置(105),所述机械支撑固定装置(105)具有内部孔口(102),其中多个探针固定到所述固定装置(105)上,所述多个探针包含延伸到所述内部孔口(102)中以接触待探测晶片(190)的裸片上的探针垫的探针尖(103a)。至少一个磁屏蔽物(120、130)包含磁性材料,所述磁性材料至少大体上围绕在围封所述探针尖(103a)的区域上方突出的体积块。所述磁性材料具有至少800的相对磁导率。
技术领域
本发明涉及用于探测具有集成电路(IC)裸片的半导体晶片的探针卡,所述探针卡包含至少一个磁敏感部分。
背景技术
在半导体制造过程期间,半导体裸片通过处理而在晶片上形成,所述处理包含光刻、沉积、植入和蚀刻。晶片是一种大体上由半导体形成的衬底,例如硅或砷化镓。在制造过程完成之后且在晶片单分成裸片(或芯片)之前,晶片具有验证它们的电气性能是否在设计规范内的功能测试。通常,用于裸片探测的测试设备的测试头通常安装具有多个探针或用于与裸片上的探针垫(接合垫或凸块)接触的其它接触构件的探针卡。探针卡提供用于在测试设备和受测试装置(裸片)(DUT)之间介接的电连接。
探针卡包含具有中空中心的探针卡板(例如,印刷电路板(PCB)),所述探针卡板具有从中心出现向下延伸且经布置以接触待探测裸片上的探针垫的多个探针卡针尖。一种探针布置是具有环组合件的环氧树脂卡PCB。环组合件通过将预成型探针放置到塑料模板中而建构。对应于待测试裸片的接合垫的图案的孔被冲压到模板中。陶瓷或阳极化铝环用环氧树脂粘合到探针上。环和环氧树脂经配置以使探针永久性地保持处于它们的适当定向。
发明内容
在所描述实例中,探针卡包含机械支撑固定装置,所述机械支撑固定装置具有内部孔口,其中多个探针固定到固定装置上,所述多个探针包含延伸到内部孔口中以接触待探测晶片的裸片上的探针垫的探针尖。至少一个磁屏蔽物包含磁性材料,所述磁性材料至少大体上围绕在围封探针尖的区域上方突出的体积块。磁性材料具有至少800的相对磁导率。
附图说明
图1A是根据实例实施例的实例磁屏蔽探针卡的俯视图,所述磁屏蔽探针卡包含内部磁屏蔽物和外部磁屏蔽物两者。
图1B是根据实例实施例的图1A中示出为在晶片上的实例屏蔽探针卡的横截面图,所述晶片在还具有公开的磁屏蔽物的夹盘上。
图2示出根据实例实施例的实施为具有环组合件的环氧树脂卡的实例屏蔽探针卡,所述屏蔽探针卡包含内部和外部磁屏蔽物两者。
图3描绘根据实例实施例的包含在图2中示出为屏蔽探针卡的公开的屏蔽探针卡的实例探针系统。
图4示出根据实例实施例的当使用公开的屏蔽探针卡探测晶片时随与受测试装置(DUT)相距的径向距离而变的DUT的z高度处的磁场强度。
具体实施方式
图式不一定按比例绘制。在图式中,相似参考标号用于指定类似或等效元件。一些所说明的动作或事件可与其它动作或事件以不同次序和/或同时发生。并且,实施根据本公开的方法可能不需要一些所说明的动作或事件。
如本文所使用的术语“耦合到”或“与……耦合”(等等)在未进一步限定的情况下,描述间接或直接电连接。例如,如果第一装置“耦合”到第二装置,那么连接可为通过其中在路径中仅存在寄生效应的直接电连接,或通过经由包含其它装置和连接的中间项的间接电连接。对于间接耦合,中间项一般不会修改信号的信息,但是可能会调整它的电流电平、电压电平和/或功率电平。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司,未经德州仪器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680062711.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:主动元件基板及主动元件基板的制造方法
- 下一篇:用于高深宽比结构的移除方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





