[发明专利]用于处理基材表面上的毫米-、微米-或纳米结构的方法有效
申请号: | 201680062355.0 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN108292624B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | G.米滕多费尔 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L23/31;H01L23/00;B32B7/06;B29C63/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 邵长准;杨思捷 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 基材 表面上 毫米 微米 纳米 结构 方法 | ||
本发明提出用于处理具有毫米‑和/或微米‑和/或纳米结构的基材的方法。
现有技术中存在用于处理基材(特别是晶片)的表面的大量方法。加工基材的一个非常重要的方面是两侧的加工。通过两侧的加工,基材的两侧特别是连续地得到处理。在此,需要相应地保护固定侧,即未加工的一侧。需要这种保护以便不会由于固定而破坏该基材侧。在现有技术中,存在用于在固定在试样架上期间保护基材侧的许多材料。这些材料优选是聚合物,其在施涂至基材上侧上之后,通过化学和/或物理过程达到第一状态,该状态最佳地保护经固定的基材侧的结构。
所述材料的问题在于其移除。大多数材料通过化学过程固化,特别是交联。由此导致牢固粘附至基材表面的结构上的一定趋势。此外,聚合物链越长,粘附强度越大和聚合物的粘度越大,则从结构的间隙移除材料变得更加困难。
因此,本发明的目的是提供一种方法,使用该方法可以最佳地保护基材的表面上的结构,但在稍后的时刻可以尽可能简单地进行移除。
该目的通过专利的独立权利要求的主题而实现。本发明的有利扩展方案描述在从属权利要求中。在说明书、权利要求书和/或附图中给出的至少两个特征的所有组合也属于本发明的范畴内。对于数值范围,在提及的限值之内的数值也应当作为限值公开,并可以以任意的组合要求保护。
根据本发明,提出用于处理具有毫米-和/或微米-和/或纳米结构的基材的方法,其中在该结构上施加至少一种保护材料,其中所述至少一种保护材料能够溶解在溶剂中。
根据本发明的方法可以保护特别是通过3D结构所提供的结构化表面。该结构化表面特别是通过压印过程产生。然而,也可考虑通过热压花过程、光刻过程、蚀刻过程等来产生。
在基材的基材表面上存在一个或多个需要保护的结构。为简单起见,下文将通常以复数形式提及结构。这些结构可以是指微芯片、MEM、空腔、LED、储存器,但特别是压花结构。将所述结构涂覆根据本发明的保护材料。
根据本发明的构思在于使用保护材料-溶剂组合。该保护材料-溶剂组合必须经设计,根据相似相溶的原理以最佳的方式使得保护材料溶解在溶剂中。在此,该溶剂作为清洁剂使用,以在预定数量的方法步骤后由基材表面移除保护材料。
保护材料保护结构使其免受出现在基材表面和/或相对的第二基材表面上的所有类型的应力。这些包括例如固定过程、蚀刻过程、研磨过程、抛光过程、结构化过程,特别是压印过程。在根据本发明的一个非常特别的实施方案中,在第二基材表面上进而压制结构,从而获得两侧经压花的基材。
在加工第二基材表面的结构之后,如果必要可以进而根据本发明进行涂覆以保护所述结构。这种需求尤其存在于长距离的运输,特别是经过受污染的距离的运输。因此,根据本发明的保护材料不仅用作机械稳定剂,而且也用作对于在大气和/或周围环境中存在的介质(特别是流体,更具体的液体或气体,特别是氧气)的保护层。
根据一个有利的扩展方案,将至少一种保护材料以至少一个保护层的形式设置到结构上,其中所述至少一种保护材料优选地完全覆盖所述结构。由此可以有利地更好保护所述结构。
根据另一个有利的扩展方案,将至少一种保护材料通过离心涂覆、喷涂、层压和/或浸渍而施加。由此可以有利地实现所述保护材料的特别有效的施加。
根据另一个有利的扩展方案,将至少一种保护材料在施加后经化学和/或物理过程而改性,其中所述改性特别是包括使得所述至少一种保护材料固化、增加粘度和/或增加弹性。由此可以有利地实现所述结构的更好保护。根据本发明以此方式进行的改性仍可以尽可能有效及简单地移除保护层。
根据另一个有利的扩展方案,在施加的第一保护材料上施加特别是不同于该保护材料的第二保护材料。由此可以有利地使用具有不同性质的保护材料,由此可以再进一步地改善结构的保护。
根据另一个有利的扩展方案,在所述结构上方设置特别是具有不同的保护材料的、彼此叠置的多个保护层。由此可以有利地实现所述结构的更好保护。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造