[发明专利]固化性树脂膜及第1保护膜形成用片

权利要求书

1.固化性树脂膜在表面具有凸块的半导体晶片的第1保护膜形成用片的制造中的用途，其中，

所述固化性树脂膜粘贴在所述半导体晶片的所述具有凸块的表面，

对所述固化性树脂膜进行加热，使熔融后的所述固化性树脂膜在所述凸块间扩展，使所述凸块的上面露出，并且覆盖所述凸块的除顶点及其附近以外的区域，

使所述固化性树脂膜固化，由此在所述表面形成第1保护膜，所述第1保护膜以包覆着所述凸块的除顶点及其附近以外的区域的方式形成，

所述固化性树脂膜含有聚合物成分及热固性成分，

所述固化性树脂膜的固化物的杨氏模量为0.02MPa以上、且在80℃下通过探针粘性试验测定的载荷的峰值为500g以下。

2.固化性树脂膜及第1支撑片在表面具有凸块的半导体晶片的第1保护膜形成用片的制造中的用途，其中，

所述固化性树脂膜粘贴在所述半导体晶片的所述具有凸块的表面，

对所述固化性树脂膜进行加热，使熔融后的所述固化性树脂膜在所述凸块间扩展，使所述凸块的上面露出，并且覆盖所述凸块的除顶点及其附近以外的区域，

使所述固化性树脂膜固化，由此在所述表面形成第1保护膜，所述第1保护膜以包覆着所述凸块的除顶点及其附近以外的区域的方式形成，

所述固化性树脂膜含有聚合物成分及热固性成分，

所述第1保护膜形成用片是使所述固化性树脂膜及所述第1支撑片层叠而成的，

所述固化性树脂膜的固化物的杨氏模量为0.02MPa以上、且在80℃下通过探针粘性试验测定的载荷的峰值为500g以下。

3.根据权利要求1或2所述的用途，其中，

所述第1保护膜是通过对所述固化性树脂膜进行加热而形成的。

4.保护膜的制造方法，其包括：

将固化性树脂膜粘贴于半导体晶片的具有凸块的电路表面，

对所述固化性树脂膜进行加热，使熔融后的所述固化性树脂膜在所述凸块间扩展，使所述凸块的上面露出，并且覆盖所述凸块的除顶点及其附近以外的区域，

使所述固化性树脂膜固化而形成杨氏模量为0.02MPa以上、且在80℃下通过探针粘性试验测定的载荷的峰值为500g以下的保护膜，

所述固化性树脂膜含有聚合物成分及热固性成分。

5.根据权利要求4所述的保护膜的制造方法，其中，

所述固化性树脂膜的固化通过对所述固化性树脂膜进行加热而进行。

6.根据权利要求4所述的保护膜的制造方法，其中，

所述固化性树脂膜的固化通过照射能量线而进行。

7.半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有凸块和保护膜，该制造方法包括：

通过权利要求4所述的保护膜的制造方法形成所述保护膜，

对所述半导体晶片和所述保护膜进行切割而制造半导体芯片。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，该方法进一步包括：

在对所述固化性树脂膜加热后且所述固化性树脂膜固化前，对所述半导体晶片的与所述电路面相反一侧的面进行磨削。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述固化性树脂膜的固化通过对所述固化性树脂膜进行加热而进行。

10.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述固化性树脂膜的固化通过照射能量线而进行。