[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

在比由处理室(81、201)内的基板保持部(89、204)保持着的基板(W)的端缘靠外侧的位置设置有喷射气体的气体喷射口(74、205)。从气体喷射口(74、205)喷射来的气体形成在沿着由基板保持部保持着的基板的第1面(表面)的方向上流动的气体的流动。随着气体的流动，升华了的升华性物质的气体和气体所含有的异物被从基板的附近去除。气体也作为从加热部(88、203)向基板的传热介质起作用。

技术领域

本发明涉及使附着于基板的升华性物质升华的技术。

背景技术

在制造半导体装置之际，通过向半导体晶圆等基板供给化学溶液，来进行湿蚀刻处理或清洗处理等化学溶液处理。在化学溶液处理之后进行冲洗处理和甩干处理。随着在基板形成的图案的微细化和高纵横化，在干燥时由于要从图案凹部内出来的液体的表面张力而图案倒塌的风险变高。为了应对该问题，最近，在冲洗处理后进行使用了升华性物质的干燥处理(参照例如专利文献1)。使用了升华性物质的干燥处理包括：利用升华性物质溶液对充满图案凹部内的冲洗液或溶剂进行置换的工序；使升华性物质溶液固化的工序；以及使升华性物质升华的工序。

在上述的升华工序或紧接着该升华工序之后，有时因源自从基板暂且脱离了的升华性物质的异物附着或再次附着，基板表面被污染。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-243869号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种防止基板在升华工序时或紧接着该升华工序之后被源自从基板暂且脱离了的升华性物质的异物污染的技术。

根据本发明的一实施方式，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：基板保持部，其保持基板，该基板具有：第1面，其涂敷有升华性物质；以及该第1面的相反侧的第2面；处理室，其收容由基板保持部保持着的基板；加热部，其对所述处理室的内部进行加热，以使涂敷于所述基板的第1面的升华性物质升华；以及气体供给部，其向所述处理室供给气体，所述气体供给部具有喷射气体的气体喷射口，所述气体喷射口设置于比由所述基板保持部保持着的所述基板的端缘靠外侧的位置，形成在沿着由所述基板保持部保持着的所述基板的所述第1面或所述第2面的方向上流动的气体的流动。

根据本发明的另一实施方式，提供一种基板处理方法，该基板处理方法具备：将具有涂敷有升华性物质的第1面和该第1面的相反侧的第2面的基板配置于处理室内；对所述基板进行加热，以使涂敷于所述基板的第1面的升华性物质升华；以及从所述处理室内的设置于比所述基板的端缘靠外侧的位置的气体喷射口喷射气体而形成在沿着配置于所述处理室内的所述基板的所述第1面或所述第2面的方向上流动的气体的流动。

根据上述本发明的实施方式，由于升华而从基板脱离了的升华性物质的气体被从气体喷射口喷射来的气体的流动从基板附近的空间去除。因此，能够防止源自升华性物质而产生的异物向基板的附着、再次附着。

附图说明

图1是表示基板处理装置的一实施方式的升华处理系统的整体结构的概略侧视图。

图2是升华处理单元的纵向剖切侧视图。

图3是沿着图2中的III-III线的剖视图。

图4是表示晶圆保持构件的另一形态的升华处理单元的水平方向剖切俯视图。

图5是表示气体供给部的另一形态的升华处理单元的水平方向剖切俯视图。

图6是对图5所示的气体供给管进行说明的概略图。

图7是表示在升华处理单元的处理室后部设置有电吸尘器的例子的升华处理单元的纵向剖切侧视图。

图8是对另一升华处理方法进行说明的概略图。

图9是说明气体供给对晶圆升温的影响的图表。