[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201680056032.0 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN108028193B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 江头浩司;山下刚秀;本田儀幸;吉田祐希;川渕洋介 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,该基板处理装置具备:
基板保持部,其保持基板,该基板具有:第1面,其涂敷有升华性物质;以及该第1面的相反侧的第2面;
处理室,其收容由基板保持部保持着的基板;
加热部,其对所述处理室的内部进行加热,以使涂敷于所述基板的第1面的升华性物质升华;以及
气体供给部,其向所述处理室供给气体,
所述气体供给部具有喷射气体的气体喷射口,所述气体喷射口设置于比由所述基板保持部保持着的所述基板的端缘靠外侧的位置,形成在沿着由所述基板保持部保持着的所述基板的所述第1面的方向上流动并从所述处理室排出的气体的流动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述基板保持部构成为将多个基板沿着该基板的厚度方向隔开间隔地排列保持,所述气体供给部具有以针对各基板形成所述气体的流动的方式与各基板相对应地设置的多个气体喷射口。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
所述气体供给部的各气体喷射口与各基板相对应地以一对一的关系设置。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
在与设置有所述多个气体喷射口的一侧相反的一侧设置有1个排气口,所述处理室的内部经由所述1个排气口被抽吸。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
所述基板保持部构成为将所述多个基板以水平姿势沿着铅垂方向隔开间隔地保持。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置设置有将所述处理室内划分成沿着所述基板的排列方向彼此隔离开的多个分区的多个分隔板,所述分隔板与由所述基板保持部保持的所述基板平行地延伸,所述基板保持部在各封闭起来的分区内各自保持一张基板。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
所述加热部具有设置于各所述分隔板的加热器。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
所述基板保持部具有设置于各所述分隔板的基板支承构件,以便从下方支承各基板的所述第2面。
9.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,
所述基板保持部具有多组一对架状的基板支承构件的组,该一对架状的基板支承构件从所述处理室的两侧壁朝向所述处理室的中央部延伸,并支承各基板的所述第2面的周缘部。
10.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置还具备对用于相对于所述处理室输入输出基板的开口进行封闭的闸阀,所述多个气体喷射口设置于所述闸阀的阀芯。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述基板保持部将多个基板保持成以使各基板的所述第1面朝下的方式以水平姿势沿着铅垂方向隔开间隔地排列。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述气体供给部在由所述基板保持部保持着的所述基板的所述第1面的附近形成在沿着所述第1面的方向上流动的气体的流动。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其中,
所述加热部具有热板,该热板与由所述基板保持部保持着的所述基板的所述第2面之间隔开间隙地配置。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述气体供给部在由所述基板保持部保持着的所述基板的所述第1面的附近形成在沿着所述第1面的方向上流动的气体的流动、以及在所述第2面的附近形成在沿着所述第2面的方向上流动的气体的流动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造