[发明专利]包括直接粘附到衬底的间隔件的光学组件有效
申请号: | 201680055045.6 | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN108076671B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 启川·于;华琴·鸿;吉·王 | 申请(专利权)人: | 赫普塔冈微光有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B6/43 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
地址: | 新加坡新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 直接 粘附 衬底 间隔 光学 组件 | ||
本公开描述了可以例如使用晶片级过程来制造的光学组件。所述过程可以包括提供包括光学装置晶片的晶片堆叠、以及将间隔件直接模制到所述光学装置晶片的表面上。例如,可以使用真空注射技术来模制间隔件,使得它们在没有粘合剂的情况下粘附到所述光学装置晶片。
技术领域
本公开涉及包括直接粘附到衬底的间隔件的光学组件以及此类光学组件的制造技术。
背景技术
小型光电模块(诸如成像装置)有时采用光学组件,其包括沿装置的光轴堆叠的透镜以实现期望的性能。在一些情况下,作为制造过程的一部分,形成堆叠的晶片被对准并粘结在一起。晶片可以例如通过胶水或其他粘合剂来彼此附接。然而,胶水有时迁移到可能对光学性能产生负面影响的区域。
另外,在一些情况下,使用相对较薄的间隔件晶片将堆叠中的各种光学构件彼此分开或者将光学组件与模块中的其他光电子部件分开。使用较薄间隔件晶片可以是有利的,因为它有助于减小组件或模块的总体高度。另一方面,在处理期间可能发生此类晶片的变形。另外,间隔件晶片有时由可吸收湿气的环氧树脂材料构成。对这种湿气的吸收可能导致晶片尺寸的相对较大改变,这可能对组件的光学性能产生负面影响。
发明内容
本公开描述了包括直接粘附到衬底的间隔件的光学组件以及此类光学组件的制造技术。可以例如使用晶片级过程来制造光学组件,在所述晶片级过程中同时并行地制造许多组件。所述过程可以包括提供包括光学装置晶片的晶片堆叠、以及将间隔件直接模制到所述光学装置晶片的表面上。例如,可以使用真空注射技术来模制间隔件,使得它们在没有粘合剂的情况下粘附到所述光学装置晶片。
在一个方面,例如,制造光学组件的晶片级方法包括提供包括彼此堆叠的多个晶片的晶片堆叠,所述多个晶片包括光学装置晶片。随后将间隔件直接模制到所述光学装置晶片的表面上,其中所述间隔件在没有粘合剂的情况下粘附到所述光学装置晶片的所述表面。
一些实施方式包括以下特征中的一个或多个。例如,在一些情况下,通过真空注射来形成所述间隔件。所述真空注射可以包括将环氧树脂注射至由真空注射工具限定的空间中。在一些情况下,在所述真空注射期间,沿着所述晶片堆叠中的相应晶片的周边设置一些环氧树脂,并且还可以沿着所述光学装置晶片的在其外围处的表面和/或沿着所述晶片堆叠的在所述晶片堆叠的一个端部处的表面设置一些环氧树脂,所述晶片堆叠的所述表面与所述光学装置晶片的表面相对。
另一方面描述了一种光学组件,所述光学组件包括第一衬底和第二衬底,其通过具有开口的第一间隔件来彼此分开,其中所述衬底对于特定波长或波长范围是透明的。所述光学组件可以包括在至少一个所述衬底上的光束成形元件。所述组件还包括第二间隔件,其直接附接到所述第二衬底的表面,使得所述第一间隔件和所述第二间隔件位于所述第二衬底的相对侧上,并且所述第二间隔件在没有粘合剂的情况下粘附到所述第二衬底的所述表面。所述第一衬底和所述第二衬底以及所述第一间隔件和所述第二间隔件的外部横向尺寸可以彼此相同。
在一些情况下,所述第二间隔件模制在所述第二衬底的所述表面上,包括环氧树脂材料(例如,真空注射的环氧树脂)。所述第一衬底和所述第二衬底可以例如由选自由玻璃、聚合物组成的组的材料构成。在一些情况下,相应光束成形元件设置在所述第一衬底和所述第二衬底中的每一个上。
一些实现方式提供以下优点中的一个或多个。例如,由于将模制间隔件粘附到光学装置晶片不需要粘合剂,因此所述晶片级过程可以有助于缓解如果使用胶水或其他粘合剂时可能发生的问题(例如,胶粘剂迁移到晶片堆叠的敏感区域;将湿气吸收到间隔件晶片中)。另外,在一些实现方式中,将间隔件直接模制到光学装置晶片上可以减小未对准和/或处理变形。
以下更详细地描述各种实施方案。其他方面、特征和优点将从以下详细描述、附图和权利要求书中显而易见。
附图说明
图1示出光学组件的实例。
图2示出包括至少一个光学装置晶片的晶片堆叠的实例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的