[发明专利]玻璃衬底上的集成电路（IC）

说明书

一种集成电路(IC)包括玻璃衬底上的第一半导体器件。第一半导体器件包括块体硅晶片的第一半导体区域。IC包括玻璃衬底上的第二半导体器件。第二半导体器件包括块体硅晶片的第二半导体区域。IC包括在第一半导体区域与第二半导体区域之间的贯通衬底的沟槽。贯通衬底的沟槽包括设置在块体硅晶片的表面外的部分。

优先权要求

本申请要求2015年9月22日提交的共有的美国非临时性专利申请第14/861,958号的优先权，其整体内容以引用的方式明确并入本文。

技术领域

本公开大体上涉及包括玻璃衬底的集成电路。

背景技术

技术的进步已经产生了更小和更强大的计算装置。例如，包括无线电话(诸如，移动和智能电话)、平板和膝上型计算机的各种便携式个人计算装置小巧、轻便、且方便用户携带。许多这种装置包含诸如数码相机、数码摄像机、数字记录器、和音频文件播放器之类的功能。而且，这种装置可以对可执行指令(包括可以用于访问互联网的软件应用，诸如web浏览器应用)进行处理。因此，这些装置可以包括显著的计算能力。

这些装置还可以使用射频(RF)传输通过无线网络传送语音和数据包。因此，这些装置可以包括集成电路(IC)(诸如，射频(RF)IC)，可以使用块体硅晶片或者绝缘体上硅(SOI)晶片来形成集成电路(IC)。使用块体硅晶片形成的RF IC可以包括在块体硅晶片的硅衬底层中形成的沟道区。SOI晶片包括在隐埋氧化层(例如，SiO2)之上形成的硅层，在硅衬底层之上形成隐埋氧化层。在RF IC的操作期间，来自高频信号(例如，RF信号)的电场可以扩散到块体硅晶片或者SOI晶片的硅衬底层中，从而导致信号泄露并且引起衬底层中的电非线性(例如，涡电流)。

发明内容

在一个特定方面中，一种制造IC的方法包括：制造第一和第二半导体器件。第一半导体器件包括通过半导体层的第一部分的半导体材料连接的第一源极区和第一漏极区。第二半导体器件包括通过半导体层的第二部分的半导体材料连接的第二源极区和第二漏极区。该方法进一步包括：去除半导体层的部分，使得半导体层的第一部分与半导体层的第二部分不连续。该方法进一步包括：将玻璃衬底耦合至第一和第二半导体器件。

在一个特定方面中，一种IC包括玻璃衬底上的第一半导体器件。第一半导体器件包括块体硅晶片的第一半导体区域。该IC包括玻璃衬底上的第二半导体器件。第二半导体器件包括块体硅晶片的第二半导体区域。该IC包括在第一半导体区域与第二半导体区域之间的贯通衬底的沟槽。贯通衬底的沟槽包括设置在块体硅晶片的表面外的部分。

在一个特定方面中，一种方法包括：形成第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件包括块体硅晶片中的第一半导体区域，并且第二半导体器件包括块体硅晶片中的第二半导体区域。该方法包括：在第一半导体区域与第二半导体区域之间形成贯通衬底的沟槽。贯通衬底的沟槽包括设置在块体硅晶片的表面外的部分。

由所公开的方面、示例、和/或实施方式中的至少一个提供的一个特定优点在于：与包括在共享或者连续半导体区域中形成的沟道区的半导体器件相比，第一半导体区域和第二半导体区域的物理和电气分离可以实现第一半导体器件与第二半导体器件之间的优异的电气隔离。相应地，与在硅衬底上形成的RF IC对比，与RF信号相关联的电场可以不引起(或者可以减少)玻璃衬底中的晶体管负载(例如，可能是非线性的涡电流)。防止或者减少与RF信号相关联的晶体管负载可以减少RF信号损失，并且由此可以减少电非线性。

本公开的其它方面、优点、和特征将在查阅整个申请之后变得显而易见，包括以下部分：附图说明、具体实施方式、以及权利要求书。

附图说明

图1示出了说明包括设置在玻璃衬底上的半导体器件的集成电路(IC)的方面的侧视图；