[发明专利]摄像元件及摄像装置

说明书

摄像元件具备：光电转换部，其对透射过微透镜而入射的光进行光电转换，生成电荷；蓄存部，其对由光电转换部生成的电荷进行蓄存；以及传输部，其将由光电转换部生成的电荷传输至蓄存部，光电转换部、传输部和蓄存部沿着微透镜的光轴方向设置。

技术领域

本发明涉及摄像元件及摄像装置。

背景技术

专利文献1的公报中公开了下述的固态成像元件。

在半导体衬底上设有包含光电转换部及信号扫描电路部并配置像素矩阵而成的摄像区域。摄像区域包括：元件分离绝缘膜，其以与相邻的像素之间的边界部分对应并包围各像素的方式设置；MOSFET，其设置在半导体衬底的表面上且在元件分离绝缘膜的下方区域；以及第1导电型的第1扩散层，其设置在半导体衬底内的元件分离绝缘膜的附近区域。元件分离绝缘膜以自形成有信号扫描电路部的半导体衬底的表面偏离的方式设置在半导体衬底中，且到达半导体衬底的背面。MOSFET包括栅极电极和形成在半导体衬底内且在栅极电极上方的第1导电型的第2扩散层。第1扩散层与第2扩散层接触，在半导体衬底的垂直方向上第1扩散层的沿着与垂直方向正交的第1方向的宽度的中心位于第2扩散层的沿着第1方向的宽度的中心附近。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利5547260号

发明内容

近年来要求多像素化的固态成像元件。但是，以往的固态成像元件由于将第1扩散层和第2扩散层沿着半导体衬底的表面配置，因此如果多像素化则受光面积变小。如果受光面积变小，则通过光电转换产生的电荷量减少、可能导致灵敏度变差。

本发明第1技术方案的摄像元件包括：光电转换部，其对透射过微透镜而入射的光进行光电转换，生成电荷；蓄存部，其对由所述光电转换部生成的电荷进行蓄存；以及传输部，其将由所述光电转换部生成的电荷传输至所述蓄存部。所述光电转换部、所述传输部和所述蓄存部沿着所述微透镜的光轴方向设置。

本发明第2技术方案的摄像元件具有与微透镜的光轴相交叉的第1面和第2面，且在所述第1面与所述第2面之间包括：光电转换部，其对透射过所述微透镜而入射的光进行光电转换，生成电荷；蓄存部，其对由所述光电转换部生成的电荷进行蓄存；以及传输部，其将由所述光电转换部生成的电荷传输至所述蓄存部。在所述微透镜的光轴方向上，所述光电转换部设置于所述第1面侧，所述蓄存部设置于所述第2面侧，所述传输部设置于所述光电转换部和所述蓄存部之间。

本发明第3技术方案的摄像装置具有摄像元件和基于从摄像元件输出的信号生成图像数据的生成部。摄像元件包括：光电转换部，其对透射过微透镜而入射的光进行光电转换，生成电荷；蓄存部，其对由所述光电转换部生成的电荷进行蓄存；以及传输部，其将由所述光电转换部生成的电荷传输至所述蓄存部。所述光电转换部、所述传输部和所述蓄存部沿着所述微透镜的光轴方向设置。

本发明第4技术方案的摄像装置具有摄像元件和基于从摄像元件输出的信号生成图像数据的生成部。摄像元件具有与微透镜的光轴相交叉的第1面和第2面，且在所述第1面与所述第2面之间包括：光电转换部，其对透射过所述微透镜而入射的光进行光电转换，生成电荷；蓄存部，其对由所述光电转换部生成的电荷进行蓄存；以及传输部，其将由所述光电转换部生成的电荷传输至所述蓄存部。在所述微透镜的光轴方向上，所述光电转换部设置于所述第1面侧，所述蓄存部设置于所述第2面侧，所述传输部设置于所述光电转换部和所述蓄存部之间。

附图说明

图1是表示第1实施方式的固态成像元件100的概略构成图。

图2是表示第1实施方式的像素20的等价电路的图。

图3是第1实施方式的像素20的剖视图。